7、(a a)含表面台阶的完整晶体)含表面台阶的完整晶体(b b)表面台阶处的原子进入晶内间隙位置而形成填隙原子,表面台阶处的原子进入晶内间隙位置而形成填隙原子,紧邻原子被向外挤出紧邻原子被向外挤出4.24.2点缺陷的产生点缺陷的产生 在实际晶体中,可以存在较热缺陷浓度高许多的非平衡态点在实际晶体中,可以存在较...
由于间隙原子的形成能较大,在相同温度下间隙原子浓度比空位浓度小得多,通常可以忽略不计,所以一般情况下,金属晶体的点缺陷主要是指空位。 05过饱和点缺陷 如上所述,一定温度下,晶体中存在平衡的点缺陷浓度,但通过一些方法,可以使晶体中的点缺陷浓度超过平衡浓度。 ① 淬火法:加热后,使缺陷浓度较高,然后快速冷却,...
点缺陷的类型: 1.空位缺陷:VM表示M原子占有的位置,在M原子移走后出现的空位。VNa’表示在晶体中取走钠离子晶格中多了一个电子,形成带负电的空位VNa,同理VCl·表示一个带正电荷的空穴。 2.填隙原子:Mi表示M原子进入间隙位置; 3.错位原子:MX表示M原子占据了应是X原子正常所处的平衡位置; 4.杂质原子:LM表示溶...
这可是很常见的一种点缺陷呢! 2.间隙原子缺陷,哎呀,就好像在一群人中间硬生生挤进去了一个不速之客!比如碳原子挤进了金属晶体的晶格间隙中,这就是间隙原子缺陷啦,会对材料的性能产生不小的影响哦。 3.杂质原子缺陷,这不就跟一群好人里面混进了个坏蛋一样嘛!例如在半导体材料中,有意掺入一些杂质原子来改变其...
一、点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号 中性 点缺陷所带有效电荷 点缺陷名称 ·正电荷 负电荷缺陷在晶体中所占的格点 以MX型化合物为例：1.空位（vacancy）用V来表示，符号中的右下标表示缺陷所在位置，VM含义即M原子位置是空的。2.间隙原子（interstitial）亦称为填隙原子，用Mi、Xi来表示，其含义为M、X...
2点缺陷的类型 金属中常见的基本点缺陷有:空位、间隙原子和置换原子。图1所示。 在晶体中,位于点阵结点上的原子并非静止的,而是以其平衡位置为中心作热振动。原子的振动能是按几率分布,有起伏涨落的。当某一原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定限度时,就可能克服周围原子对它的制约作用,跳离其原来的位置,使...
点缺陷有多种类型,包括空位缺陷、插入缺陷、间隙原子缺陷等,这些缺陷在半导体材料中具有重要的应用价值。 点缺陷在半导体材料中的应用 1. P-N 点缺陷在半导体材料中的一个重要应用是形成P-N结。P-N结是半导体器件中最基本的结构,它由P型半导体和N型半导体直接相接而形成。在形成P-N结的过程中,点缺陷起到了...
结构缺陷——点缺陷 一.点缺陷的概念 具有完整的点阵结构的晶体是理想化的,称为理想晶体。理想晶体在自然界中是不存在的。在任何一个实际晶体中,原子、分子、离子等的排列总是或多或少地与理想点阵结构有所偏离。那些偏离理想点阵结构的部位称作或者晶体的。 晶体的缺陷按其空间分布的几何形状和大小可分为以下几...
点缺陷是指在晶体中占据位置的原子、离子或分子偏离平衡位置而引起的缺陷。这些缺陷在晶体中以空位、间隙原子等形式存在,是晶体中尺寸最小的缺陷。根据形成方式,点缺陷主要分为两种:热缺陷和注入缺陷。热缺陷是由于晶体在热处理过程中,原子获得足够的能量后离开平衡位置,形成空位或间隙原子。注入缺陷则是由于外部粒子(...