干涉效应,首次探讨了法诺态的能谱结构和真空场量子起伏引起的自发辐射对受激光增益过程的影响,为利用这种机理制成更低激射阈值和Ⅱ-类半导体量子阱无反转激光器提供... 郭长志,陈水莲 - 《Journal of Semiconductors》 被引量: 2发表: 1998年 光场的空间横向效应对无粒子数反转光放大增益的影响 针对喇曼场驱动下的...
具有量子阱结构的量子阱半导体激光器与双异质结半导体激光器(DH)相比,具有阈值电流密度低、量子效应好、温度特性好、输出功率大、动态特性好、寿命长、激射波长可以更短等等优点。目前,量子阱已成为人们公认的半导体激光器发展的根本动力。 The 80's, the quantum pitfall structure appearance caused the semiconductor ...