在临界温度（≈328 K）以下，由于电子和空穴口袋之间的杂化效应，最高价带顶部将经历反常的平坦化，伴随着一个窄能隙（≈0.16 eV）的形成，这被认为是发生激子的玻色-爱因斯坦凝聚并形成激子绝缘体态的证据。然而，关于激子效应引起能隙打开（即由电子-空穴库仑相互作用触发）的观点受到了挑战，因为与此同时还发生...
科学家在半金属-激子绝缘体相变研究中取得新进展(3)|半金属|激子绝缘体 近日,中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心张昌锦课题组博士王景荣和中国科学技术大学刘国柱课题组合作在半金属-激子绝缘体相变的研究中取得新进展。相关工作以Excitonic pairing and
在临界温度(≈328 K)以下,由于电子和空穴口袋之间的杂化效应,最高价带顶部将经历反常的平坦化,伴随着一个窄能隙(≈0.16 eV)的形成,这被认为是发生激子的玻色-爱因斯坦凝聚并形成激子绝缘体态的证据。然而,关于激子效应引起能隙打开(即由电子-空穴库仑相互作用触发...
在临界温度(≈328 K)以下,由于电子和空穴口袋之间的杂化效应,最高价带顶部将经历反常的平坦化,伴随着一个窄能隙(≈0.16 eV)的形成,这被认为是发生激子的玻色-爱因斯坦凝聚并形成激子绝缘体态的证据。然而,关于激子效应引起能隙打开(即由电子-空穴库仑相互作用触发)的观点受到了挑战,因为与此同时还发生着从正交到...
与激子绝缘体序参量耦合的声子(2THz)和普通相干声子(3THz)之间的非简谐相互作用导致非平衡势能面的变化和声子频率上转换,加速了晶格的序参量反转并导致能隙关闭。这一过程与纯电子过程相互竞争,特别是在强场条件下更为显著。相关研究成果以「Coherent Phonon Assisted Ultrafast Order-Parameter Reversal and Hidden ...
然而,关于激子效应引起能隙打开(即由电子-空穴库仑相互作用触发)的观点受到了挑战,因为与此同时还发生着从正交到单斜晶系的结构畸变。晶格不稳定性也可能通过电子-声子耦合导致能隙的形成。由于晶格和电子子系统之间的序参数线性耦合,主导机制难以确定,这限制了对该材料的应用及调控。
研究明确了晶格序参量在光诱导绝缘体-金属转变过程中的关键作用,为理解关联量子材料中激子-声子动力学提供了全面的视角。相关研究题目为《Coherent Phonon Assisted Ultrafast Order-Parameter Reversal and Hidden Metallic State in Ta2NiSe5》,成果被发表在物理学领域的顶级期刊Physical Review Letters上。
Ta2NiSe5是当前备受瞩目的激子绝缘体候选材料。在临界温度(≈328 K)以下,由于电子和空穴口袋之间的杂化效应,最高价带顶部将经历反常的平坦化,伴随着一个窄能隙(≈0.16 eV)的形成,这被认为是发生激子的玻色-爱因斯坦凝聚并形成激子绝缘体态的证据。然而,关于能隙打开是否仅由激子效应引起(即由电子-空穴库仑相互作...
与激子绝缘体序参量耦合的声子(2THz)和普通相干声子(3THz)之间的非简谐相互作用导致非平衡势能面的变化和声子频率上转换,加速了晶格的序参量反转并导致能隙关闭。这一过程与纯电子过程相互竞争,特别是在强场条件下更为显著。 图3. 多声子间的非简谐相互作用加速能隙关闭...
TaNiSe是当前备受瞩目的激子绝缘体候选材料。在临界温度(≈328 K)以下,由于电子和空穴口袋之间的杂化效应,最高价带顶部将经历反常的平坦化,伴随着一个窄能隙(≈0.16 eV)的形成,这被认为是发生激子的玻色-爱因斯坦凝聚并形成激子绝缘体态的证据。然而,关于激子效应引起能隙打开(即由电子-空穴库仑相互作用触发)的观...