一、技术原理 激光键合技术是通过激光光束将材料表面加热至熔化点,然后将两个材料压力在一起,使熔融的材料相互混合并在凝固后形成一体的焊接接头。 二、应用领域 1. 电子行业 激光键合技术被广泛应用于电子行业,如连接封装在芯片上的电线、电容、电阻等,可以实现超细封装和几乎无缝隙连接。 2. 汽车零部件制造 激光...
激光辅助键合,英文全称:LaserAssistedBonding,简称LAB,是应用半导体集成电路后道封装制程领域的一项技术,是指将激光束照射到芯粒或需要焊接的器件上使芯粒及器件数秒内由室温升至焊接温度,将其焊接在基板、interposer或堆叠的另外一个芯粒上。该技术可用于对速度、精度和局部非常小区域的精确加热、控制有高度需求的场合,...
激光巨量键合技术应运而生 传统键合方式制程复杂、生产成本高,不利于Micro LED的降本增效,激光巨量键合方案则是不二之选。激光键合是利用高精度的对位平台,将donor上的芯片和目标基板进行精准对位,利用高精度的调平系统和压力传感系统将donor和目标基板进行贴合,再利用均匀性极好的光斑,配合温度精准可控的控温系统(功率...
要使用金属 TIM,必须在硅 (Si) 芯片和盖板表面同时进行背面金属化 (BSM),因为金属 TIM 通过金属间键合与 Si 芯片和金属盖板结合,如图 1 所示。 图1:FCBGA 上金属 TIM 的示意图 从凸点互连方法的角度来看,业内使用回流焊(MR)、热压键合(TCB)和激光辅助键合(LAB)。对于LAB,技术和键合机制已有报道,键合方法的...
激光解键合技术以其高效、精准、无损的特点,在半导体制造领域展现出了巨大潜力。该技术利用激光的高能量密度特性,将激光束精确聚焦在晶圆与载体的键合点上,通过局部加热并熔化,实现键合点的非接触式分离。这一过程不仅避免了机械剥离可能带来的物理损伤,还大大提高了生产效率和工艺精度。同时,激光解键合技术还具有...
激光键合与真空热压键合的区别 什么是激光键合? 目前普遍使用的是键合技术是:共熔键合技术和阳极键合技术。共熔键合技术已用到多种MEMS器件的制造中,如压力传感器、微泵等都需要在衬底上键合机械支持结构。硅的熔融键合多用在SOI技术上,如Si-SiO2键合和Si-Si键合,然而该键合方式需要较高的退火温度。阳极键合不需要...
近日,全球激光和光子解决方案的领军者Coherent LaserSystems与Fraunhofer IZM-ASSID共同宣布,双方已达成战略合作伙伴关系,为先进的CMOS和异构集成应用(包括量子计算)开发和优化替代键合和脱键技术,激光技术在其中扮演了关键角色。 据介绍,EV集团(EVG)是MEMS、纳米技术和半导体市场晶圆键合和光刻设备的领先供应商,Fraunhofer ...
正是在这一背景下,三星电子与SK海力士携手合作伙伴,共同探索激光解键合技术的新路径。激光解键合,顾名思义,是利用激光的高能量密度特性,以非接触的方式精确地将晶圆从载体上分离,从而避免了机械剥离可能带来的损伤。这一技术的引入,不仅解决了超薄晶圆剥离的难题,更为HBM的进一步小型化、高性能化提供了有力支撑。
在半导体制造中,晶圆解键合是关键步骤,直接影响最终产品的质量和性能。传统的机械解键合方法在处理超薄晶圆时已显不足,尤其是面对12至16层堆叠设计的挑战,机械方式的限制更加显著。因此,三星与SK海力士的合作尝试引入激光解键合技术,利用其高能密度的特性,以无接触方式精准解键合晶圆,避免了传统方法可能带来的损伤和复杂...
三星电子和SK海力士正在考虑采用极紫外(EUV)激光和紫外线(UV)激光等多种激光方式进行晶圆解键合。预计激光解键合技术将首先应用于16层HBM4。由于HBM4在堆叠DRAM存储器的底部使用了基于系统半导体的基础芯片,因此需要更精细的工艺和更薄的晶圆,激光技术被认为是非常合适的选择。