该芯片包括衬底、调制器层、无源波导层、激光器层、放大器层、包层和接触层，调制器层设置在衬底的调制器区，无源波导层通过对接生长的方式设置在激光器层与调制器层之间的间隔区，以及调制器层另一侧的放大器区，激光器层通过对接生长的方式设置在间隔区无源波导层一侧的激光器区，放大器层设置在放大器区无源波导...
本发明公开了一种电吸收调制激光器及其制作方法,其中,该电吸收调制激光器包括:衬底;以及在衬底上依次生长的下脊波导层、中间层和上脊波导层;其中,中间层包括顺次连接的激光器有源材料区、隔离区无源材料区、调制器有源材料区和模斑转换器无源材料区,隔离区无源材料区和模斑转换器无源材料区的带隙波长均同时小于激...
步骤1:在衬底上制作调制器段的选择生长图形; 步骤2:一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子阱两叠层有源区结构; 步骤3:刻制光栅并选择腐蚀去调制器段上面的激光器多量子阱层; 步骤4:二次外延完成整个电吸收调制激光器结构的生长。 2、按权利要求1所述的选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制...
摘要 本发明一种混合波导结构电吸收调制分布反馈激光器,包括:脊型波导结构电吸收调制器;脊型波导结构的隔离区,该隔离区与该电吸收调制器相连;掩埋异质结构DFB隔离区,该激光器与该隔离区相连;所说的电吸收调制器、隔离区、激光器均制作在同一衬底上。 摘要附图 新闻...
本发明一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法,包括如下步骤:1)在InP衬底上同一次外延中先后生长InP缓冲层、下波导层、量子阱A、InP刻蚀阻止层和多量子阱B;2)采用化学湿法选择腐蚀去掉调制器区的多量子阱B,留下多量子阱A;3)全面积在激光器区和调制器区外延生长上波导层和InP盖层;4)采用全息曝光发有选择...
报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器.激光器的阈值为26 mA,最大光功率可达9 mW,消光比可达16 dB.减小端面的光反馈后,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化,调制器部分的电容为1.5 pF,初步筛选结果显示阈值,隔离电阻,消光比基本没有变化,可应用在2.5 Gb/s的长途干线光纤...
LD MD InP 缓冲层,在其上用 PECVD 淀积一层 SiO ,沿 动了近 ,实现了 和 之间带隙偏调 2 50 nm MD LD 27 [ ]方向刻出如图 所示的 掩膜图形;其中的 110 2 SiO2 meV,从而可使EML 在低驱动电压下达到高消光比, 期 刘国利 等:选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制 激光器 又可降低 的插入损耗。
1.一种电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法,其特征在于,该方法包括:1)、选择一磷化铟衬底;2)、在磷化铟衬底上外延制作多量子阱有源区;3)、在多量子阱有源区上制作一光栅;4)、在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层;5)、在光限制层上生长电接触层;6)、在电接触层上制作P面电极;7)、在...
对于DFB激光器和铌酸锂材料制作的M-Z电光调制器,说法错误的是()A.啁啾小,适合于高速率长距离通信系统B.插入损耗小,适合长距离传输C.难与光源集成D.对偏振比较敏感的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具
典型的Q-开关10a(或典型的声光调制器10)具有射频变换器12,射频变换器12的振幅在制造商所设定的特定频率下由射频驱动器14进行调制。Q-开关10a通常由激光系统控制器4控制,激光系统控制器4命令电源14a向射频变换器12提供可选择大小的电能,从而允许激光脉冲离开激光器,或使激光能量保持在激光共振器的内部。电源14a通常...