位错的滑移机制是通过位错线的移动来实现的。位错线是位错的核心部分,它是晶格缺陷的主要组成部分。位错线的滑移可以看作是晶体中的原子或离子在位错线周围发生滑动,从而导致晶体结构的改变。 位错的滑移机制可以解释材料的塑性变形行为。当外力作用于材料时,位错会在晶体中滑动,并且会在滑移面上形成新的位错线。这样,位错
位错滑移是由位错周围的晶格畸变能的减小驱动的,它可以在晶面上发生或晶面间发生。位错滑移对材料的性能有着重要的影响,它可以增加材料的塑性变形能力,改变材料的机械性能,并影响材料的热处理行为。研究位错的滑移机制对于深入理解材料的塑性变形和改善材料的性能具有重要的意义。
试描述位错增殖的双交滑移机制。如果进行双交滑移的那段螺型位错长度为100nm,而位错的伯氏矢量为0.2nm,试求实现位错增殖所必需的剪应力(G=40GPa)。相关知识点: 试题来源: 解析如图17所示,有一螺型位错在(111)面上滑移(a),于某处受阻不能继续滑移,此位错的一部分就离开(111)面而沿[*]面进行交滑移,同时...
位错塞积通过以下机制阻碍滑移: 1. 1.**[应力集中反向抑制]**:在[障碍物](如[沉淀物]或[林位错])前,移动位错形成[[塞积群(pile-up)]],其[应力场叠加]在障碍处产生强大的[[反向应力场(back stress)]](公式10.60:[ _τ = Gb/l_ ])。 2. 2.**[位错源启动阈值提升]**:反向应力方向与外部应力相...
在高温变形过程中，位错滑移不仅是塑性变形的主要机制，更是调控材料强韧性平衡的关键。GH4710合金内部，强化相通过有效钉扎位错，使得位错运动遇到阻碍而产生局部应变累积；然而，随着温度升高，热激活效应使得部分位错能够克服钉扎而继续滑移，同时动态回复机制又及时将部分位错重新整合，避免了局部应力的极端集中。正是在...
位错滑移机制是指位错在滑移过程中的运动方式和路径。 晶体中的位错可以沿着不同的滑移面和滑移方向滑移。滑移面是晶体中原子密排的平面,滑移方向是晶体中原子平行于此平面滑动的方向。当外力作用于晶体时,它会使位错发生滑移。在滑移过程中,位错会在滑移面上形成一条密集的线,称为滑移线。滑移线的方向和滑移方向...
大量位错环一个个移出晶体晶体不断滑移就在晶体表面形成滑移台阶台阶高达近千个原子间距今年来一些直接的试验观察证实了弗兰克瑞德位错源的存在??c位错的交割与塞积晶体的滑移实际上是位错沿着滑移面的运动多滑移时产生位错交割1 滑移的位错机制 位错的运动与晶体的滑移 临界切应力: 1.晶体没有任何缺陷时的临界切应力...
百度试题 题目2.滑移的位错机制 相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏
掏张阳低签玉蒸搂讹队实外焰滑移的位错机制 位错的运动与晶体的滑移 临界切应力: 晶体没有任何缺陷时的临界切应力约为1500MPa 实际存在位错晶体的临界切应力约为0.98MPa 关于实际滑移的比理论计算的低的多的解释 晶体没有任何缺陷时的滑移: 在切应力的作用下,晶体上下两部分沿滑移面作侠启懊恿采瓷踞顽闸藐垣...
1.晶体没有任何缺陷时的临界切应力约为1500MPa滑移的位错机制滑移的位错机制位错的运动与晶体的滑移临界切应力:晶体没有任何缺陷时的临界切应力约为1500MPa实际存在位错晶体的临界切应力约为0.98MPa关于实际滑移的比理论计算的低的多的解释晶体没有任何缺陷时的滑移:在切应力的作用下,晶体上下两部分沿滑移面作猿趟矫...