方法限制了晶格薄膜半导体层和承运人底平面平行于它们的接口中的对齐方式缺陷、 基于已定义的角度值,并利用薄层与具体的厚度,因而获得选择性溶出度的氧化层在界面区域,导致原子的重排和因此取代脱位形成在接口跨薄层的厚度。 翻译结果4复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 方法在界面区限制稀薄的半导体层数和载体基体的晶格...