结果表明源漏电压的大小对旁栅闻值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。关键词:砷化镓;MESFET;旁栅效应:旁栅阈值电压中图分类号:TN386 文献标识码:A1引言随着砷化镓集成电路的迅速发展,其集成度不断提高,器件间距越来越小,器件间的相互影响变得十分重要。在MESFET器件邻近电极上加～负电压,...
摘要: 研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系.结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比. 暂无资源 收藏 引用 分享 推荐文章 非对称Halo的异质栅SOI MOSFET阈值电压解析模型 异质栅 阈值电压 表面势 部分耗尽异质环栅场...
摘要: 研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。阅读:362 下载:0 免费获取 收藏 引用 分享 文献分析 文献信息 会议信息 相关会议 文献分析 关键词 旁栅效应旁栅阈值电压...
解析 对于PMOS晶体管,通常情况下衬底和源极都接最高电位,衬底偏压,此时不存在衬偏效应。而当PMOS中因各种应用使得源端电位达不到最高电位时,衬底偏压>0,源与衬底的PN结反偏,耗尽层电荷增加,要维持原来的导电水平,必须使阈值电压(绝对值)提高,即产生衬偏效应。
长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响:( )。A.阈值电压 增大B.跨导 增大C.亚阈区特性恶化D.漏源击穿电压增加
请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应,并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。查看答案更多“请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应,并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。”相关的问题 第1题 在以下有关对象属性的叙述中,不正确的是() A. 一个对象的所有属性都可在属性窗口的列表中进行...
而当PMOS中因各种应用使得源端电位达不到最高电位时,衬底偏压>0,源与衬底的PN结反偏,耗尽层电荷增加,要维持原来的导电水平,必须使阈值电压(绝对值)提高,即产生衬偏效应。 影响:使得PMOS阈值电压向负方向变大,在同样的栅源电压和漏源电压下其漏源电流减小。 00分享举报...