如图所示为某半导体气相溅射沉积镀膜法的原理图,在真空室中,接电源正极的电容器上极板处放置待镀膜的硅晶圆,接电源负极的下极板处放置镀膜靶材。等离子体氩气从左端进入真空室中的电场(可认为离子初速为零),带正电的氩离子(Ar+)在电场力作用下加速轰击靶材,使得靶材原子溅射到上方硅晶圆衬底上,从而实现硅晶圆镀膜。
据报道,国产的14nm芯片已经实现量产,芯片制造中需要用到溅射镀膜技术,如图是某种溅射镀膜的简易原理图,注入溅射室内的氩气分子被电离成具有一定初速度向各个方向的带正电氩离子,然后在匀强电场作用下高速撞向镀膜靶材,使靶材中的原子或分子沉积在半导体芯片上。 忽略离子重力和离子间作用力,以下说法正确的是C电极a镀膜...
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据报道,国产的14nm芯片已经实现量产,芯片制造中需要用到溅射镀膜技术,如图是某种溅射镀膜的简易原理图,注入溅射室内的氩气分子被电离成具有一定初速度向各个方向的带正电氩离子,然后在匀强电场作用下高速撞向镀膜靶材,使靶材中的原子或分子沉积在半导体芯片上。忽略离子重力和离子间作用力,以下说法正确的是( ) A. ...