在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体,等离子体通过光刻胶中开出的窗口,与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应),从而去掉曝露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要方法。而在湿法腐蚀中,液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)...
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体,等离子体通过光刻胶中开出的窗口,与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应),从而去掉曝露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要方法。而在湿法腐蚀中,液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学方式...
我们分别采用干法刻蚀工艺路线和湿法腐蚀工艺路线制备了面阵规模为320×256、像元中心距为30 μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长/长波双色红外焦平面器件,然后对其进行了性能测试,并对两种工艺路线制备的器件的台面形貌、接触孔形貌、伏安特性和中测性能进行了对比研究。 实验 如图1所示,材料采用NMπP-PπMN背靠背结构实...
干法刻蚀和湿法腐蚀刻蚀:通过物理和化学方法将下层材料中没有被上层掩蔽膜材料掩蔽的部分去掉,从而在下层材料上获得与掩蔽膜完全对应的图形。%干法腐蚀利用等离子体增强的气态腐蚀1)为了形成等离子体,反应在低压下进行。2)反应生成物是挥发性的。【电容极板在等离子体状态下,等离子体与衬底表面产生鞘层,鞘层产生离子轰击...
01氮化铝(AlN)作为一种重要的陶瓷材料,在微电子、光电子和MEMS等领域具有广泛应用。02单晶AlN薄膜具有优异的力学、热学和电学性能,是制备高性能器件的理想材料。03干法刻蚀和湿法腐蚀是单晶AlN薄膜加工的关键技术,对于实现高精度、高效率的加工具有重要意义。研究背景和意义 ...
基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法,以(001)晶向的普通硅片或SOI材料为衬底;表面淀积一层绝缘层作为掩膜;电子束直写工艺或光学光刻在表面的电子束抗蚀剂或光刻胶上制备纳米细线条结构;显影后进行干法刻蚀,将版图图形转移到表层硅上;湿法去胶(硫酸加双氧水),再对表层硅进行各向异性湿法腐蚀;通过改变干法...
刷刷题APP(shuashuati.com)是专业的大学生刷题搜题拍题答疑工具,刷刷题提供刻蚀技术分湿法刻蚀和干法刻蚀两种,湿法刻蚀是指化学腐蚀,干法刻蚀容易出现钻蚀问题。A.正确B.错误的答案解析,刷刷题为用户提供专业的考试题库练习。一分钟将考试题Word文档/Excel文档/PDF文档
干法刻蚀:指的是在无液相存在的条件下进行的刻蚀过程,通常涉及使用气体(例如氟化氢等)或等离子体来去除材料表面。 湿法刻蚀:湿法刻蚀则是在液体中进行的刻蚀过程,利用腐蚀性溶液来溶解或去除材料表面。 3、离子刻蚀和等离子体刻蚀 离子刻蚀:通过离子束撞击材料表面,去除材料。这种方式通常能够提供更高的选择性和更精确...
1、硅纳米结构的一种制备方法,其特征是以(100)晶向的普通硅片或SOI材料为衬底;表面淀积一层绝缘层作为掩膜;电子束直写工艺或光学光刻在表面的电子束抗蚀剂或光刻胶上制备纳米细线条结构;显影后进行干法刻蚀,将版图图形转移到表层硅上;湿法去胶,再对表层硅进行各向异性湿法腐蚀;通过改变干法刻蚀的刻蚀深度和角度,以...
摘要 基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法,以(001)晶向的普通硅片或SOI材料为衬底;表面淀积一层绝缘层作为掩膜;电子束直写工艺或光学光刻在表面的电子束抗蚀剂或光刻胶上制备纳米细线条结构;显影后进行干法刻蚀,将版图图形转移到表层硅上;湿法去胶(硫酸加双氧水),再对表层硅进行各向异性湿法腐蚀;通过改...