湿法EKc去胶工艺是一种常见的表面处理工艺,主要用于去除电镀、喷涂、涂覆等工艺中产生的胶层或杂质,以提高表面质量和增强涂层附着力。湿法EKc去胶工艺通常包括以下几个步骤: 1. 预处理,首先对待处理的工件进行清洗和去油处理,以确保表面干净无杂质。 2. 酸洗,将工件浸泡在酸性溶液中,通过酸性溶液的化学作用去除表面...
1.一种湿法Silk去胶工艺,其特征在于先将刻蚀后的Silk硅片放入湿法去胶设备,用EKC525化学试剂清洗去除光刻胶,再将去除光刻胶的Silk硅片放入炉子作k值恢复固化。 2.根据权利要求1所述的去胶工艺,其特征在于去胶的温度控制在45-55℃,清洗方式为喷涂EKC525到硅片表面,硅片转速为360-440转/分。
1.一种干湿法结合去胶工艺,其特征是,其工艺步骤为:s1、基板准备:选取尺寸4寸-12寸硅晶元的一种作为基板,基板表面做抛光处理;s2、光刻胶涂覆:通过旋涂的方式将光敏胶均匀涂覆在基板表面,并使用曝光显影的方式使需要镀膜的区域裸露出来;s3、镀膜:通过pvd或者cvd的方式在基板表面沉积膜层,完成镀膜;s4、湿法去胶:采...
(54)发明名称一种干湿法结合去胶工艺(57)摘要本发明公开了一种干湿法结合去胶工艺,其工艺步骤为:S1、基板准备:选取尺寸4寸‑12寸硅晶元的一种作为基板,基板表面做抛光处理;S2、光刻胶涂覆:通过旋涂的方式将光敏胶均匀涂覆在基板表面,并使用曝光显影的方式使需要镀膜的区域裸露出来;S3、镀膜:通过PVD或者CVD的...
专利名称 有机聚合物低介电材料刻蚀后的湿法去胶工艺 申请号 02137192X 申请日期 2002-09-27 公布/公告号 CN1302524C 公布/公告日期 2007-02-28 发明人 缪炳有,徐小诚 专利申请人 上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司 专利代理人 陶金龙;陆飞 专利代理机构 上海正旦专利代理有限公司 专利类型 ...
专利名称：Silk刻蚀后的湿法去胶工艺专利类型：发明专利 发明人：缪炳有,徐小诚 申请号：CN02137192.X 申请日：20020927 公开号：CN1420531A 公开日：20030528 专利内容由知识产权出版社提供 摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及Silk刻蚀后的去胶工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件...
你好！公司除了清洗设备，是否有意研发更高阶更有价值的晶圆刻蚀设备呢？至纯科技（603690.SH）9月16日在投资者互动平台表示，您好，湿法设备覆盖的工艺包括清洗、刻蚀、去胶、刷洗，感谢您的关注 (记者 蔡鼎)免责声明：本文内容与数据仅供参考，不构成投资建议，使用前核实。据此操作，风险自担。每日经济新闻 ...
用途:SSEC公司3300系列机台是一种单片式工艺设备,广泛用于清洗、刻蚀、剥离、去胶以及显影等工艺开发。根据具体配置和型号,该系列设备可满足研发至大规模生产的需求。 电源:230V/Hz 功率:1000W 外形尺寸:1mm 重量:1kg 3300系列:清洗、刻蚀、剥离、去胶以及显影 ...
元成股份：先进封装领域的工艺流程中涉及到的设备也包含湿法清洗设备、湿法去胶设备、湿法刻蚀设备等 证券之星消息，元成股份(603388)11月28日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。投资者：公司是否有意愿加大半导体投入？完全控股或是继续加大投入并购更多的半导体公司，实现国产替代？元成股份董秘：尊敬的投资者，...
单片湿法去胶机 用于先进封装工艺过程中的晶圆去胶制程和金属剥离制程。设备可搭载槽式浸泡 原子层沉积 Beneq Transform在其多功能性和适应性方面建立了全新的AL ALD Beneq Prodigy™ 是 VCSEL、LED 和 会员登录 × 请输入账号 请输入密码 = 请输验证码 立即登录新用户注册收藏...