1)温度循环测试 T/C Test(Temperature Cycling Test) 目的:了解半导体封装承受高、低温热胀冷缩的耐久性。 测试条件:温度: +150/-65℃;时间: 15分/区间;读取点: 1000次循环;测量;开短路测试。 温度循环测试后的失效故障:由于打线键合的剥离或键球颈表面被破坏导致开路,芯片开裂导致短路。
温度循环测试（T/C Test）目的是检验封装在高、低温热胀冷缩环境下的耐久性。测试条件包括温度范围为+150/-65℃，每区间持续15分钟，循环1000次，进行测量和开短路测试。测试后可能观察到芯片顶部脱层、球颈断裂或键合剥离导致的开路与短路现象。热冲击测试（T/S Test）通过迅速冷热交替来评估封装在温度...
测试条件:温度:+150/-65℃;时间: 15分/区间;读取点:1000次循环;测量;开短路测试。 3)高温仓测试(可以置于空气或者氮气柜中)HTST(High Temperature Storage Test) 目的:了解半导体封装长时间暴露在高温下的耐久性。 测试条件:温度:150℃;读取点:1000小时;测量;开短路测试。 4)T&H Test(Temperature & Humidity ...