浅能级缺陷靠近导带底或价带顶,类似临时停靠站。电子掉入浅能级后容易逃逸,对载流子寿命影响较小。例如,磷掺杂硅中的磷原子间隙缺陷属于浅能级,这类缺陷虽然会引起局部能带弯曲,但电子只需较少能量就能回到导带继续参与导电。 两者的核心区别在于捕获载流子的能力。深能级缺陷的“陷阱深度”大,电子需要吸收较多能量才能逃...
传统的深能级瞬态光谱法(DLTS)在面对高电阻率材料时,会因高串联电阻干扰测量结果;光致电流瞬态光谱法(PICTS)虽适用于高阻材料,但制作欧姆接触的过程复杂且可能影响衬底性能。而 MDPICTS 技术完美避开了这些问题,以其非接触式的测量方式,消除了接触制作带来的困扰,为半导体缺陷研究开辟了新路径。 图1. 微波探测光致...
深能级瞬态谱(Deep Level Transient Spectroscopy)是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C～t)技术和深能级瞬态谱(DLTS)的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具有极高检测灵敏度(检测灵敏度通常为半导体材料中掺杂济浓...
在固体物理学中,深能级缺陷是指固体材料中的一种缺陷,它位于禁带内,能级较深。这些缺陷对材料的电学和光学性质有重要影响。深能级缺陷可以影响材料的导电性、光吸收和发光性能。研究深能级缺陷有助于理解材料的电子结构和性能。 综上所述,温度、荧光强度和深能级缺陷在材料科学和固体物理学中都是重要的研究课题。对...
期间在“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上,中国科学院半导体所助理研究员闫果果做了“6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究”的主题报告,分享了6英寸4H-SiC的外延生长,以及深能级晶圆的研究进展。 4H-SiC双极器件对外延层的要求涉及厚外延层和低掺杂浓度实现高阻断电压,以及用于低正向电压降的高载流子寿命...
这一策略的核心在于,这些有序的缺陷复合体可以清除带隙内的深能级陷阱,从而提高材料的载流子迁移率和器件的整体性能。以上成果在“Science Advances”期刊上发表了题为“Solution-processable ordered defect compound semiconductors for high-performance electronics”的最新论文。
然而,掺杂后的硅晶体因辐射产生大量缺陷,实际电阻率远超预期,退火成为必要环节。在此过程中,准确把握晶体损伤程度成为关键。传统的深能级瞬态光谱法(DLTS)在面对高电阻率材料时,会因高串联电阻干扰测量结果;光致电流瞬态光谱法(PICTS)虽适用于高阻材料,但制作欧姆接触的过程复杂且可能影响衬底性能。而 MDPICTS 技术...
应用分享|深能级缺陷表征- MDPICTS 在半导体材料的研究与应用中,缺陷表征至关重要。特别是在中子嬗变掺杂(NTD)硅的处理过程中,了解其辐射诱导缺陷对于优化退火条件、提升材料性能意义非凡。Freiberg Instruments公司的微波探测光致电流瞬态光谱法(MDPICTS)技术(如图1),为这一领域带来了新的突破,展现出诸多传统技术难以...
研究发现,Bi2S3纳米棒中存在硫空位(VS)和铋取代硫(BiS)两种缺陷,可以作为深能级缺陷引起光生电子和空穴的非辐射复合,产生声子,从而引发光热现象。以此为基础,该课题组利用Bi2S3的能带结构、BiS的缺陷能级位置以及金(Au)费米能级位置之间的关系制备了Bi2S3-Au异质结构纳米材料。该材料一方面能够形成新的BiS缺陷,...
在半导体材料的研究与应用中,缺陷表征至关重要.特别是在中子嬗变掺杂(NTD)硅的处理过程中,了解其辐射诱导缺陷对于优化退火条件,提升材料性能意义非凡.