摘要 在本发明提供了一种集成深结深器件和浅结深器件的方法,包括在基座上形成栅极蚀刻掩模层;通过蚀刻形成栅极,并使得栅极或栅极和蚀刻掩模层组合的厚度满足所在区域的结深器件注入离子时的要求;完成所述结深器件所需的离子注入;去除所述蚀刻掩模层。本发明借助栅极蚀刻掩模层,实现深结深工艺与浅结深工艺并存,整合了...
百度试题 题目扩散工艺用于形成( )。 A.深结B.浅结C.深结或浅结D.深结和浅结相关知识点: 试题来源: 解析 A 反馈 收藏