深槽隔离技术是一种半导体器件隔离技术,通过在晶片表面刻槽并填充绝缘材料的方式,将器件之间隔离开来。深槽隔离技术相对于传统的浅槽隔离技术,在隔离效果、工艺可靠性、温度稳定性、电磁兼容性等方面有着显著优势。 深槽隔离技术可以有效降低器件之间的相互干扰和串扰,提高器件的...
深槽隔离技术:突破存储器电路瓶颈 16小时前 一,深槽隔离技术的原理 深槽隔离技术是一种通过反应离子刻蚀u型槽,并在槽中填充介质的方法.这种技术采用的是固定宽度的深槽,一般典型的深槽尺寸是宽度在65nm到0.5um之间,深度在2到5nm之间.深槽隔离工艺是从标准的locos结构开始...
深槽隔离工艺是利用反应离子刻蚀U型槽,然后在槽中填充介质为了使得摄像头对焦也更加准确,CMOS 为了降噪也采用了成为“深槽隔离”技术。
高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究朱 泳 , 闫桂珍 , 王成伟 , 王阳元(北京大学微电子学研究院 , 北京 100871)E2mail :gzyan @ime. pku. edu. cn摘要 : 体硅集成 MEMS 器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统 CMOS 工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 ...
以通过沟槽刻蚀窗口使得衬底的表面露出；基于上述的氧化层、阻挡层以及沟槽刻蚀窗口，利用ICP机台对衬底进行沟槽刻蚀，以得到与沟槽刻蚀窗口对应的深沟槽。本发明能有效实现深槽刻蚀，提高深槽隔离技术的适应范围，降低深槽隔离技术的成本，与现有的工艺设备兼容。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
现在用深槽隔离了吗？浅槽隔离技术是STI，是指隔离有源区的一个槽，用多晶硅填起来，深槽隔离是不是槽做的更深啊，没听过。
Primo Twin-Star®设备已在各类前道/后道制程、用于功率器件和CIS应用的深沟槽隔离刻蚀(DTI)中表现出卓越的性能。 通过提供兼具这些优异性能和高性价比的解决方案,我们不仅帮助客户解决了技术难题,同时最大程度地提升了其投资效益。 (素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)...
公开了利用共享深沟槽隔离存储电容器的全局快门像素。本发明专利技术公开的是一种包括集成电路衬底的电子器件,在所述集成电路衬底内具有像素阵列区域。第一深沟槽隔离结构在所述集成电路衬底中围绕着所述像素阵列区域的周边形成。第一、第二、第三和第四像素位于所述像素阵列区域内且彼此间隔开。存储电容器区域位于所...
场二氧化硅侵入有源区;(2)场注入在高温氧化过程中发生再分布,引起有源器件的窄宽度效应(narrowwidtheffect);(3)场二氧化硅在窄隔离区变薄;(4)不平坦的表面形状.这些缺点使基于LOCOS的隔离技术难以应用到深亚微米工艺中.浅沟槽隔离(shaIIowtrenchisoIation,ST )工艺[2]克服了LOCOS工艺的局限性,具有优异的隔离性能...
M E M S devices hav e an advantage o f size , w eig ht , cost , and pow er consum ption. H ow ev er , the per fo rmance of present M E M S sensor s( s... 收藏 分享 下载 举报 用客户端打开