提出了一种新颖的利用版图轮廓的超深亚微米光刻工艺建模流程.该流程采用的方法主要包括:首先将代表纯光学模型的传输交叉系数矩阵通过圆极化采样正交投影成更小规模的矩阵,同时用该组相同的极化采样基表示掩模图形;然后用目标电路版图的严格3D仿真结果或其SEM轮廓图对该新系统进行半经验化的校正.在模型校正过程中引入了基...
针对超深亚微米器件航天应用日益增多的情况,以超深亚微米SRAM和Flash存储器为对象,分析了超深亚微米器件的辐射效应规律特点。超深亚微米器件一般具有天然抗总剂量辐射能力,但若接口电路工作电压或编程电压高,则辐射敏感;超深亚微米器件由于特征尺寸减少,单粒子效应敏感,核反应可导致单粒子事件,另外,已有的单粒子预计模...
SoC芯片表述为将微处理器、数字/模拟IP核、DSP、信号采集和转换 电路,以及存储器等集成在一起的通常为定制的单一芯片,是采用超深亚微米工艺技术和第三方IP核实现的VLSI,并通过操作系统和应用程序进行控制。由于 SoC消除了芯片间的信号传输延迟,避免了电路板上的信号串扰,相比传统电路板级系统其工作频率有了大幅度的...
提出了一种新颖的利用版图轮廓的超深亚微米光刻工艺建模流程.该流程采用的方法主要包括:首先将代表纯光学模型的传输交叉系数矩阵通过圆极化采样正交投影成更小规模的矩阵,同时用该组相同的极化采样基表示掩模图形;然后用目标电路版图的严格3D仿真结果或其SEM轮廓图对该新系统进行半经验化的校正.在模型校正过程中引入了...
适用于超深亚微米光刻仿真的建模和优化 维普资讯 http://www.cqvip.com
New Modeling and Optimization Method Suitable for UDSM Lithography Simulation适用于超深亚微米光刻仿真的建模和优化光刻建模版图轮廓圆极化采样遗传算法光学邻近校正This paper presents a novel UDSM lithography process modeling flow using layout contours.The flow mainly includes the following steps:First the ...