深三极管区顾名思义,是指MOSFET中得一种特殊工作状态。在这个状态下,MOSFET的通道几乎完全被耗尽,电子几乎不能通过通道流动;这时候可以看做是深状态。为什么要特意强调这个深字?因为这意味着此时MOSFET的漏电流极小;几乎处于关闭状态。我们常说,深三极管区是指MOSFET处于强反向偏置的状态,通道内的电子浓度降低,几乎不...
深三极管区的工作原理需要从PN结说起。PN结是半导体器件中最基本的结构,由P型半导体和N型半导体通过扩散或外加离子注入形成的结。在PN结中,由于P区和N区的载流子密度不同,会产生扩散电势垒,从而形成一定大小的电场。 在深三极管区的工作中,为了实现更高的电流放大和控制能力,会对PN结进行高掺杂处理。高掺杂区域...
深三极管区： 定义：当漏源电压Vds远小于2时，CMOS管进入深三极管区。 特性：在深三极管区，管子表现出类似电阻的特性，其电阻值由VgsVth控制。此时，漏极电流ID与漏源电压VDS的关系如同电阻。 应用：由于深三极管区表现出电阻特性，它可能在一些需要精确控制电阻值的电路中得到应用。同时，与亚阈值区相...
亚阈值区的主要辨别参数是Vgs和Vth的关系,而深三极管区是继承了三极管区(triode region),也称线性区(linear region)和饱和区的关系,Vds和Vgs-Vth的关系而得来的。Vds<Vgs-Vth,管子工作在三极管区,但如果有Vds<<2(Vgs-Vth),管子就工作在线性区的末端,也就是深三极管区,如上图所示。 此时三极管区的公式I_D=\...
在CMOS管的工作特性中，除了常见的线性区和饱和区，亚阈值区（subthreshold conduction）和深三极管区(deep triode region)在现代工艺下也变得重要。亚阈值区是当Vgs小于阈值电压VT时，电流ID与Vgs呈指数关系，如[公式]，其中I0和W/L（aspect ratio）有关，而跨导[公式]不再是饱和区的[公式]，而是[...
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深三极管区在一定条件下可以等效成电阻来理解。但在具体电路中,需考虑其特性与应用。店内提供的吉业升MG191锚固剂树脂,虽与三极管不直接相关,却同样注重性能与应用的精准匹配。这款树脂作为化工原料,品质可靠,标准严格遵循GB/QB,且支持全国售卖,现货供应,开票拆零均可,样品提供也没问题。物流快递直达,储存只需干燥...
百度试题 结果1 题目在CMOS模拟集成电路设计中,我们一般让MOS管工作在区。 ( ) A. 亚阈值区 B. 深三极管区 C. 三极管区 D. 饱和区 相关知识点: 试题来源: 解析 D 反馈 收藏
晶体三极管工作在深饱和区时,IB、IC、β之间的关系为()。A.IC=βIB B.IC>βIB C.IC<βIB D.IC≥βIB 点击查看答案 手机看题 你可能感兴趣的试题 单项选择题 十进制数86转换为BCD码应为()。 A.01010110 B.10000110 C.10011100 D.01101000 点击查看答案 手机看题 单项选择题 BCD码(01010010)转换为十...