深三极管区顾名思义,是指MOSFET中得一种特殊工作状态。在这个状态下,MOSFET的通道几乎完全被耗尽,电子几乎不能通过通道流动;这时候可以看做是深状态。为什么要特意强调这个深字?因为这意味着此时MOSFET的漏电流极小;几乎处于关闭状态。我们常说,深三极管区是指MOSFET处于强反向偏置的状态,通道内的电子浓度降低,几乎不存在可流动的载流子
深三极管区的工作原理需要从PN结说起。PN结是半导体器件中最基本的结构,由P型半导体和N型半导体通过扩散或外加离子注入形成的结。在PN结中,由于P区和N区的载流子密度不同,会产生扩散电势垒,从而形成一定大小的电场。 在深三极管区的工作中,为了实现更高的电流放大和控制能力,会对PN结进行高掺杂处理。高掺杂区域...
深三极管区: 定义:当漏源电压Vds远小于2时,CMOS管进入深三极管区。 特性:在深三极管区,管子表现出类似电阻的特性,其电阻值由VgsVth控制。此时,漏极电流ID与漏源电压VDS的关系如同电阻。 应用:由于深三极管区表现出电阻特性,它可能在一些需要精确控制电阻值的电路中得到应用。同时,与亚阈值区相...
亚阈值区的主要辨别参数是Vgs和Vth的关系,而深三极管区是继承了三极管区(triode region),也称线性区(linear region)和饱和区的关系,Vds和Vgs-Vth的关系而得来的。Vds<Vgs-Vth,管子工作在三极管区,但如果有Vds<<2(Vgs-Vth),管子就工作在线性区的末端,也就是深三极管区,如上图所示。 此时三极管区的公式I_D=\...
在CMOS管的工作特性中,除了常见的线性区和饱和区,亚阈值区(subthreshold conduction)和深三极管区(deep triode region)在现代工艺下也变得重要。亚阈值区是当Vgs小于阈值电压VT时,电流ID与Vgs呈指数关系,如[公式],其中I0和W/L(aspect ratio)有关,而跨导[公式]不再是饱和区的[公式],而是[...
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查看完整题目与答案 参考解析: 当晶体三极管工作在深饱和区时,集电极电流IC几乎不再随基极电流IB的增大而按β倍关系增大,此时IC会小于β乘以IB的数值,所以C选项正确。 AI解析 重新生成最新题目 【单选题】如果将人眼比作照相机的话,则相当于暗盒的是( )。 查看完整题目与答案 【单选题】道德是人类...
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