海恩斯-肖克莱实验中,n型锗样品的长度为1cm,外加电压V1=2.5V。A和B两个触点相距0.75cm。实验测定载流子从触点A注入样品后160µs时刻,脉冲最大值到达触点B,试确定空穴迁移率。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:外加电场后,电子的平均漂移速度为 其中, 因此反馈 收藏 ...
题目海恩斯-肖克莱实验室基本原理是什么?相关知识点: 试题来源: 解析 在半导体样品某处产生过剩少子,在其它地方检测过剩少子浓度的变化;根据过剩浓度峰值运动的距离和相应的运动时间,确定少子的迁移率;根据某时刻少子浓度的分布,确定少子的扩散系数。反馈 收藏 ...
海恩斯肖克莱实验装置 更新时间:2024年11月01日 综合排序 人气排序 价格 - 确定 所有地区 已核验企业 在线交易 安心购 查看详情 ￥260.00/台 广东广州 80年保固水利水工水工消能实验装置三峡培训数字沙盘离心泵实验 在线交易 少货必赔 金福模型 浏阳市关口椰金福工艺品厂 3年 查看详情 ￥510.00/台 辽宁沈阳 ...
百度试题 题目不能从海恩斯-肖克莱实验中推断出 A.多子迁移率B.少子寿命C.少子迁移率D.少子扩散系数相关知识点: 试题来源: 解析 A 反馈 收藏
海恩斯-肖克利实验 海恩斯-肖克利实验，半导体物理中的经典实验之一。由海恩斯（J.R. Haynes）和肖克利最先完成。该实验证明了少数载流子的漂移以及扩散运动。得到了在未施加电场以及施加电场的情况下载流子的分布情况，测得了少数载流子的寿命。