为了解决上述问题,浙江大学杨德仁院士团队方彦俊课题组提出了一种纳米复合缓冲层辅助热压印的策略,首先在CVD生长的全无机钙钛矿层上喷涂一层由有机半导体和钙钛矿量子点组成的柔性复合缓冲层,进而通过热压印工艺制备异质结厚膜,从而改善了全无机钙钛矿层的表面粗糙度及均匀性,并有效提升了其晶体质量。结果表明,热压印工艺可...