派恩杰是JEDEC旗下JC-70分会最早一批会员,参与宽禁带功率器件的相关标准制定 ISO9001:2015质量体系认证 国产碳化硅 MOSFET出货量遥遥领先 耐压更强 切换更快 损耗更低 效率更高 碳化硅二极管 碳化硅场效应管 氮化镓晶体管 碳化硅模块 应用中心 派恩杰新闻 【喜讯】 | 派恩杰首推2000V SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严...
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派恩杰半导体是一家技术领先的第三代功率半导体企业,自创立以来一直秉持着“知行合一、创造价值”的企业价值观,我们不仅提供性能卓越的器件,更致力于通过不断创新引领行业的发展趋势来为为全球客户提供高效、创新的定制化电能管理解决方案,以期实现“成为一个...
简介:派恩杰半导体 (浙江) 有限公司 (曾用名:派恩杰半导体 (杭州) 有限公司) ,成立于2018年,位于浙江省宁波市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币,实缴资本1000万人民币,并已于2025年完成了A++轮,交易金额数亿人民币。通过天眼查大数据分析,派恩杰半导体 (浙江) ...
派恩杰半导体(杭州)有限公司成立于2018年9月,是第三代半导体功率器件设计销售企业(Fabless模式),持续专注于碳化硅和氮化镓功率器件设计研发与产品销售。 派恩杰产品有SiC SBD,SiC MOS以及GaN HEMT等,广泛应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等场景和领域。成立仅6个月即完成...
简介:派恩杰半导体 (浙江) 有限公司 (曾用名:派恩杰半导体 (杭州) 有限公司) ,成立于2018年,位于浙江省宁波市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1197.8916万人民币,实缴资本1000万人民币,并已于2025年完成了A++轮,交易金额数亿人民币。通过天眼查大数据分析,派恩杰半导体 (浙江...
派恩杰半导体是国内第三代半导体功率器件的领先品牌，拥有深厚的技术底蕴和供应链优势，创始人黄兴博士师承IGBT发明人Dr. B.Jayant Baliga与ETO晶闸管发明人Dr.Alex Q.Huang，并于2009年起深耕碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发，对产业有着深入洞察。派恩杰半导体拥有国内最全的碳化硅功率器件产品目录，可以满足用户各种...
近日，设计企业派恩杰半导体完成近5亿A轮融资。《科创板日报》记者注意到，宁波国资——宁波城投、宁波通商基金等成为派恩杰半导体新晋投资方。财联社创投通数据显示，派恩杰半导体成立于2018年，此前曾经历过8轮融资，除宁波国资外，中新基金、湖杉资本、华润资本、东风资产、南京市创投集团等都是派恩杰半导体的投资人。
派恩杰取得集成温度传感器的碳化硅半导体器件专利，实现耐高温的温度传感器 金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，派恩杰半导体（浙江）有限公司取得一项名为“一种集成温度传感器的碳化硅半导体器件”的专利，授权公告号 CN 222339882 U，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本实用新型涉及碳化硅器件技术领域，...