事实上，反熔丝工艺并不是洪根深第一次实现从0到1的突破。2002年，刚刚走出大学校门、走进中国电科58所的洪根深，接到的第一份任务便是从零开始开发特种SOI工艺，助力打造航天“中国芯”。SOI工艺，是利用衬底和表面硅薄层之间有一层绝缘层的SOI材料，在只有约0.2微米厚的表面硅膜上制备集成电路的先进技术。SOI...
58所硅基先进工艺研究室主任 洪根深 作为全市唯一的获奖者 入选榜单 🎉🎉🎉 洪根深,1973年出生,中国电科集团首席科学家、58所硅基先进工艺研究室主任,江苏省第六期 “333 工程”第二层次学术带头人。 他先后主持和参与各类国家(省) 部级项目二十多项,带领团队突破技术壁垒...