泡克尔斯效应是一种物理现象,描述的是在某些介质中,电场可以引起光波的相位延迟,这种现象称为电光效应。泡克尔斯盒利用这种效应,通过改变施加在电光晶体上的电压,实现对通过晶体的光波的相位延迟的控制。泡克尔斯盒的主要组成部分是电光晶体,通常是一种具有双折射性质的晶体,如铌酸锂(LiNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等。当在...
电光效应是指某些各向同性的透明物质在电场作用下显示出光学各向异性的效应。泡克耳斯效应是指光介质在恒定或交变电场下产生光的双折射效应,这是一种线性电-光效应,其折射率的改变和所加电场的大小成正比。德国物理学家弗里德里斯·泡克耳斯于1893年研究发现的。但这种效应只存在缺少反演对称性的晶体中,例如铌酸锂(...
泡克尔斯效应是指在入射角为斜入射角时,光线经过介质后会发 生不同的偏折现象。这个效应是由泡克尔斯发现的,因此得名。当光 线通过介质时,介质内部的折射率不一定与原来的介质相同,这会导 致光线发生折射,出射角度发生变化。当光线入射角度为斜入射时, 折射不再沿着入射光线方向,而是发生了偏折,形成了一个新...
而Pockels效应本质上是光和直流电场的 二阶非线性效应导致的折射率改变和外加直流电场成正比。所以THz...
晶体的电光效应-泡克尔斯效应点击次数:992发布时间:2013/2/28更新日期:2015/5/20 14:47:14 所在地:中国大陆 产品型号:F-JTDG1110 简单介绍:采用半导体激光器作为光源(650nm4mW)。可观察在电场作用下LN晶体由单轴晶体变化为双轴晶体的过程。 在线询价
有效能隙减小,使得吸收边发生红移,就是Franz-Keldysh 效应. 可以使折射率虚部与实部均发生变化,且前者占主要地位,它是由于半导体材料外加电场之后所引起的能带弯曲导致的。对波长靠近带隙的光较敏感,而对子通信用的1.31 gm和1.55 gm的近红外光则非常不敏感,效应相当微弱。
利用泡克尔斯效应可以实现对光的相位、偏振态等特性的调控。该效应在光学通信、光学调制、光学开关等领域有广泛的应用。例如,在光学通信中,可以利用泡克尔斯效应实现高速光开关,从而提高光学通信系统的传输速率和容量。 将弗朗兹-凯尔迪什效应和泡克尔斯效应结合起来,可以进一步拓展材料的光电性能和应用范围。例如,在半导体...
由一次项aE0引起折射率变化的效应, 称为一次电光效应,也称线性电光效应或普克尔电光效应(pokells) ;由二次项 引起折射率变化的效应,称为二次电光效应,也称平方电光效应或克尔效应 (kerr) 。由(1)式可知,一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中,二 次电光效应则可能存在于任何物质中, 一次效 应要比二次...