超高真空化学气相沉积技术发展于20世纪80年代末，是指在低于10-6 Pa (10-8 Torr) 的超高真空反应器中进行的化学气相沉积过程，特别适合于在化学活性高的衬底表面沉积单晶薄膜。石墨烯就是可以通过UHV/CVD生产的材料之一。与传统的气相外延不同，UHV/CVD技术采用低压和低温生长，能够有效地减少掺杂源的固态扩散，抑...
金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition ,MOCVD),也被称为金属有机气相外延(Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy,MOVPE),是在气相外延生长(Vapor-Phase Epitaxy)基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 这种技术始于1968年,利用有机金属化...
原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种基于表面自限制反应的薄膜沉积技术。其原理依赖于两个或多个前驱体在反应室中交替引入，通过化学吸附和反应形成原子级别的薄膜。ALD的关键在于每次反应都是自限制的，即每次化学吸附会饱和表面，不会发生过度反应，从而实现对薄膜厚度的精确控制。反应机理与步骤 ALD过程...
ALD(原子层沉积):是一种特殊的化学气相沉积工艺。通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室,并在沉积基底上化学吸附并反应形成沉积薄膜的一种技术。 与传统的薄膜沉积技术相比,原子层沉积并非是一个连续的工艺过程,通常是由一系列的半反应组成。具有表面自限制自饱和、优异的三维保型性、大面积均匀性、膜厚控制和低温...
相比之下，CVD具有更广阔的范围，能够在更宽的范围内沉积不同厚度的薄膜。原子层沉积是CVD的一个子集，属于由化学反应驱动的沉积技术领域。ALD的独特方法涉及逐层生长，通过源气体的交替脉冲实现。这种一丝不苟的方法实现了对厚度的精细控制。在大多数其他CVD技术中，源气体同时流动，而外部能源（如高温或等离子体）...
熔丝沉积成形技术(Fused Deposition Modeling,FDM)是一种增材制造技术,也被称为熔融挤出成形。该技术是由美国学者Scott Crump博士于1988年首次提出的。与激光成形技术不同,熔丝沉积成形技术使用热熔挤压头来将熔融的材料沉积在基底上,从而逐层堆叠形成所需的物体。这种成形系统的构造原理和操作非常简单,维护成本也较低。
原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。20 世纪 60 年代，前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术（与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关）进行了研究。后来，芬兰...
原子层沉积 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于化学气相沉积 (CVD) 的高精度 薄膜沉积 技术,是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的技术。将两种或更多种前体化学品分别包含被沉积材料的不同元素,一次一种地分别引入到衬底表面。每个前体使表面饱和,形成单层材料。 原子层沉积原...
PART 01 原子层沉积原理 原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition,ALD)是一种特殊的化学气相沉积薄膜技术,是通过将气相前驱体交替地通入反应室并在基底表面发生气-固化学反应形成薄膜的一种薄膜方法。 图1. 原子层沉积系统示意图 通常一个完整的ALD生长循环可分为四步: ...