探测效率基于硼半导体的固体中子探测器结构紧凑,探测效率高,具有较强的吸引力.氮化硼(BN)晶体是一种宽禁带半导体材料,禁带宽度为6.1~6.4eV,属于间接带隙,通过掺杂可得到P型和N型的半导体材料.氮化硼材料具有立方氮化硼(cBN),六方氮化硼(hBN),三方氮化硼(rBN),纤维锌矿结构氮化硼(wBN)4种晶体结构,其中cBN和hBN...