n型氧化镓Si掺杂的方法包括:在基片上外延生长形成氧化镓薄膜的过程中,采用电子束蒸发掺杂Si。该方法可实现硅的连续掺杂,且硅的掺杂比例连续可调,硅元素在形成的材料内均匀分布,同时,该工艺重复性高,制备的材料尺寸不受限制,可以实现工业化生产。 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 2022-04-26 公开 ...
摘要 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片,属于半导体LED芯片制造技术领域,包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。P型薄膜层的制作材料是p型氮化铝镓材料;电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面;多量子阱结构层设置有第三侧面和第...
摘要 本发明属于半导体材料制备技术领域,具体提供了一种锡掺杂n型氧化镓制备方法。将适量的锡掺杂源以适当的方法预沉积在氧化镓材料上,然后将氧化镓材料以适当的形式放置在耐高温管内,而后在一定的温度下热处理一定时间,使得锡原子能可控的扩散到氧化镓材料中,并激活为有效施主,进而实现氧化镓材料的n型掺杂。本发明...
摘要 本发明公开了一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜,采用射频磁控溅射方法,制备了表面均匀、成膜致密、结晶性好的钒掺杂n型氧化镓薄膜,与本征氧化镓薄膜相比,五族元素钒的掺杂提供了更多的载流子,显著提高了n型氧化镓薄膜的光电性能。本发明所制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜生长速度快,晶体质量...
(α,β,γ,δ,ε,κ)的物理性质及相应的潜在应用方向.其次,详细讨论了氧化镓的n型掺杂的研究现状,包括本征缺陷,Si,Ge,Sn以及其他高价元素掺杂的机理和输运调控规律.最后,探讨了氧化镓目前存在的主要问题,包括由于难以形成自由空穴而导致的p型掺杂困难以及本征热导率过低导致的器件难以散热的问题,并对氧化镓未来...
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一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜,所述制备方法包括如下步骤: (1)靶材的准备: 提供一钒掺杂的ga2o3靶材; (2)钒掺杂的n型ga2o3薄膜生长过程: 在氧气和氩气氛围中,采用磁控溅射法,在洁净干燥的衬底上沉积薄膜,溅射腔体的本底真空为10-7torr,溅射功率为50~250w,溅射气压不低于10-3torr...
1.本发明涉及半导体材料技术领域,具体而言,涉及n型氧化镓si掺杂的方法和n型氧化镓si掺杂材料。 背景技术: 2.随着宽禁带半导体器件的快速发展和广泛应用,对于超宽禁带氧化物半导体材料的研究也越来越重视,比如单晶氧化镓就被认为是继氮化镓材料之后的一种最有应用前景的新兴材料。但是目前限制氧化镓器件性能的关键问题是...
摘要 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片,属于半导体LED芯片制造技术领域,包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。P型薄膜层的制作材料是p型氮化铝镓材料;电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面;多量子阱结构层设置有第三侧面和第...