第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料;第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料;第三代半导体指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料;第四代半导体指氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等超宽禁带半导体材料,以及锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)等超窄禁带半...
在多项国家科研计划的支持下,西安电子科技大学郝跃、韩根全研究团队(以下简称“团队”)与合作者们深入探索氧化镓半导体器件散热的关键科学问题,基于离子注入-键合剥离技术提出氧化镓异质集成衬底新工艺,并在氧化镓晶圆制备和高性能功率器件全流程工艺上取得...
随着2018年特斯拉采用碳化硅（SiC）、2020年小米在快充上使用氮化镓开始，第三代半导体经过三四十年的发展终于获得市场认可迎来发展机遇。此后，第三代半导体在新能源车、消费电子等领域快速发展开来，并逐渐从热门场景向更多拓展场景探索。在第三代半导体发展得如火如荼之际，氧化镓、氮化铝、金刚石等第四代半导体材料也...
与硅、锗、硒等单质半导体不同，砷化镓和磷化铟属于化合物半导体。由于它们的电子迁移率高（相同电压下，电子移动的速度更快），禁带宽度比第一代大，因此主要被用来制作高频、高速和大功率电子器件。同时砷化镓、磷化铟还可以做成激光器，在光通信领域显示出巨大的优越性，是光通信系统中的关键器件。但由于这些化合物...
氧化镓（Ga2 O 3）被称为第四代半导体的原因是，其超宽能隙的特性，相较于相较于第三代半导体（化合物半导体）碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），将使材料能承受更高电压的崩溃电压与临界电场。一、 氮化铝镓深紫外光发光二极体元件结构 用有机金属化学气相沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）...
代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料;第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料;第三代半导体指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料;第四代半导体指氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等超宽禁带半导体材料,以及锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)等超窄禁带半导体...
1.1第四代半导体材料 [敏感词]代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料;第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料;第三代半导体指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料;第四代半导体指氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等超宽禁带半导体材料,以及锑化镓(GaSb)、...
2022年12月，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。2022年5月，浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备2英寸 (50.8 mm)的氧化镓晶圆，而使用这种具有完全自主知识产权技术生产的2英寸氧化镓晶圆在国际上为首次。在...
近来,氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料,得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”,与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比,氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV,更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能...
我国科学家成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。 我国氧化镓领域研究连续取得突破 日前,西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片,这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。