本发明所述的制备氧化锆薄膜的方法包括以下步骤:将乙酰丙酮锆溶于N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)中,然后在水浴加热下搅拌至澄清透明,制成氧化锆前驱体溶液,再将氧化锆前驱体溶液涂覆在衬底上,然后在室温下的空气环境内使用紫外光(UV)对涂覆溶液后的衬底进行照射处理,得到制备在衬底上的氧化锆(ZrO2)薄膜。该制备氧化锆...
一种高K值氧化锆钛复合绝缘层薄膜及其晶体管制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种高K值氧化锆钛复合绝缘层薄膜及其晶体管制备方法说明:本发明涉及一种高K值氧化锆钛复合绝缘层薄膜及其晶体管制备方法,属于晶体管技术领域。该方法包括以...专利查询请上爱企查
一种基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管及其制备方法说明:本发明属于薄膜晶体管技术领域,公开了一种基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管及其制备方法。将Zr(...专利查询请上爱企查
摘要 本发明公开了一种基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件,包括从下到上依次设置的导电玻璃衬底、介电层、半导体层、上金属电极,所述上金属电极包括源电极和漏电极,所述介电层材料为氧化锆和氧化镧的混合氧化物。采用溶液法制备TFT的绝缘层和半导体层,实现低成本大面积的TFT制备,设备和原料投资较少;在工艺上...
利用旋涂的氧化锆薄膜在玻璃基板上制备了铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(IGZO-TFT),其迁移率为6.5 cm2/(V·s),开关比达到2×104。 2 实验过程 以ZrOCl·8H2O为溶质、乙二醇单甲醚(2-MOE)为溶剂配制溶液,室温下搅拌2 h后老化24 h。氧化锆溶胶过滤后滴在ITO玻璃上,用KW-4A型匀胶机将溶胶均匀甩开,选取不同的...
在制备晶体管中的应用,为研制高介电常数、低漏电流的介电层薄膜,本发明提供了一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法,即将锆源和铈源溶于有机溶剂中,预先制备锆铈氧化物前驱体溶液,最后涂覆在衬底上进行热处理制得,所制备的铈掺杂的氧化锆薄膜表面平整、致密,电学性能好,应用于制备薄膜晶体管领域,具备较好的...
摘要 本发明属于薄膜晶体管技术领域,具体涉及一种钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管,包括衬底、覆盖在衬底上的锆钕氧化物介电薄膜层和覆盖在介电薄膜层上的氧化铟半导体层以及金属源漏电极,所述介电层的厚度为10~100nm,锆钕氧化物介电薄膜中Zr与Nd的摩尔比为100‑x:x,其中,x=0~10;半导体薄膜层的厚度为1~50nm,金...
采用旋涂法制备了氧化锆介质层薄膜,重点讨论了退火温度以及旋涂转速对薄膜性能的影响及作用机制.研究发现高温后退火一方面使得氧化锆水合物脱水形成氧化锆,另一方面促使氧化锆薄膜结晶.此外,转速较高时,其变化对薄膜厚度及粗糙度无显著影响.当转速为5 000 r/min、退火温度为300℃时,制备的绝缘层厚度具有良好的厚度...