专利摘要显示，本实用新型公开了一种适用于大尺寸屏幕的氧化物TFT结构，涉及TFT器件技术领域。所述结构从下到上依次包括：玻璃基板、栅极金属层GE、栅极绝缘层GI以及有源层SE；绝缘层PV，且在每一TFT器件的有源层SE上方形成两PV通孔；ITO导电层，通过两PV通孔分别与有源层SE搭接；源漏极金属层SD，形成于ITO导电...
摘要 本发明提供一种高稳定性氧化物TFT结构,其基板上设有第一金属层,第一金属层包括栅极和栅极驱动线;第一金属层之上设有第一绝缘层;第一绝缘层之上设有有源层,有源层之上设置第二金属层,第二金属层包括源极、漏极,源极包括相互连接的第一中间导电层和源极金属层,漏极包括相互连接的第二中间导电层和漏极金...
本发明还提供一种双栅极金属氧化物半导体tft基板结构,包括衬底基板、设在所述衬底基板上的底栅极、覆盖所述底栅极与衬底基板的第一绝缘隔离层、于所述底栅极上方设在第一绝缘隔离层上的金属氧化物半导体有源层、设在所述第一绝缘隔离层上分别接触金属氧化物半导体有源层两侧的源极与漏极、覆盖所述第一绝缘隔离层...
[0027]所述氧化物半导体层的材料为IGZO。[0028]所述底栅极、源极、漏极、及顶栅极的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。[0029]所述底栅绝缘层及顶栅绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合。[0030]本发明还提供一种双栅极氧化物半导体TFT基板结构,包括基板、设于基板上的底栅极、设于...
分别位于岛状氧化物半导体层(4)与岛状蚀刻阻挡层(5)两侧的盲孔(54),能减少光罩数量,降低生产成本,提高生产效率;且盲孔(54)的深度大于岛状蚀刻阻挡层(5)的厚度,小于岛状蚀刻阻挡层(5)与岛状氧化物半导体层(4)的厚度之和,能增大源/漏极(7)与岛状氧化物半导体层(4)的接触面积,减小接触电阻,提高TFT的开态...
摘要 本发明提供一种氧化物半导体TFT基板结构及氧化物半导体TFT基板的制作方法。本发明的氧化物半导体TFT基板结构设置有保护层(5),所述保护层(5)至少包括第一氧化硅薄膜层(51)、及覆盖所述第一氧化硅薄膜层(51)的氮化硅薄膜层(52),氮化硅薄膜层(52)具有很好的致密性,使得所述保护层(5)隔绝水汽的能力提高,...
摘要 本实用新型公开了一种提高金属氧化物TFT器件稳定性的阵列基板结构,包括基板,所述基板的上方设置有第一金属层,在所述第一金属层的上方设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层的上方设置有有源层,所述有源层与第一绝缘层搭接的一侧外部设置有第二金属层,所述第二金属层的上方设置有第二绝缘层,在所述第二绝缘层...
改善金属氧化物TFT特性的结构与其制作方法专利信息由爱企查专利频道提供,改善金属氧化物TFT特性的结构与其制作方法说明:本揭示提供了改善金属氧化物TFT特性的结构及其制作方法。所述改善金属氧化物TFT特性的结构包括...专利查询请上爱企查
证券之星消息,根据企查查数据显示华映科技(000536)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“一种顶栅结构TFT氧化物阵列基板”,专利申请号为CN202322117744.9,授权日为2024年4月2日。 专利摘要:本实用新型提供一种顶栅结构TFT氧化物阵列基板,其从下到上包括基板、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、栅极绝缘层、第一透...