没有特征导通电阻一说，估计是翻译错误，就是比导通电阻，specific on resistance。导通电阻乘以面积。
比导通电阻(Ron,sp)是评估单极型功率器件性能的关键指标，其背后蕴含的物理意义在于计算导通电阻与芯片有源区域面积的乘积。数值的大小直接反映了技术水平的高低，具体而言，相同导通电阻值的产品，所需芯片面积越小，意味着技术越先进。直接计算电阻虽然可以得到精确的数值，但这种方法往往忽略了芯片的物理结...
比导通电阻值(Ron,sp)是评价单极型功率器件性能的重要指标，其物理意义为器件导通电阻乘以芯片有源区(有...
比导通电阻的定义 导通电阻是指导体在电流流过时所呈现出的电阻特性,通俗来说,就是指材料导电的能力。它是直流电阻和交流电阻的总和,通常用欧姆表示。在电路中,导通电阻的大小直接影响着电路的性能,因此对于电子工程师来说,理解和比较导通电阻的定义是十分重要的。在比较导通电阻时,我们需要考虑导体的材料、形状、...
比导通电阻(Specific On-Resistance)是指单位面积的导通电阻,通常用毫欧·平方厘米(mΩ·cm²)来表示。它是评估功率半导体器件性能的重要指标之一。比导通电阻越小,意味着在相同电流下,器件产生的功率损耗越低,效率越高。 派恩杰的功率半导体器件在比导通电阻方面具有优异的表现。通过采用先进的制造工艺和材料,派恩杰...
国产碳化硅MOSFET“最低导通电阻和最低比导通电阻”宣传噱头背后隐藏的真相与潜在危害分析：为了谋求短期利益博取融资或者投资，中长期损害终端客户利益和行业名声，最终也会导致投资者血本无归。一、国产碳化硅MOSFET参数竞赛背后的技术真相 栅氧减薄与可靠性牺牲部分国产碳化硅MOSFET厂家通过过度减薄栅氧化层厚度（如从50nm...
在导通情况下，用万用表测量电阻值是不准的。根据戴维南定理，二端口网络的电阻是两个支路电阻的并联值。因此，要串个万用表测电流，在导通情况下，再使用另一个万用表测量其Vds。电阻等于电压除以电流。当然，这这个其实不是很复杂的 可以到硬之城上面看看有没有这个型号 有的话就能在上面找到它的...
国产碳化硅MOSFET“最低比导通电阻”宣传噱头背后隐藏的真相 国产碳化硅MOSFET“最低导通电阻和最低比导通电阻”宣传噱头背后隐藏的真相与潜在危害分析: 为了谋求短期利益博取融资或者投资,中长期损害终端客户利益和行业名声,最终也会导致投资者血本无归。 一
功率mosfet 比导通电阻计算方法 功率MOSFET的导通电阻可以通过以下方法进行计算：1.首先，确定MOSFET的导通电阻特性参数，包括导通电阻的最大值（Rds(on)）和工作温度（Tj）。2.根据MOSFET的数据手册或规格书，找到与工作条件相匹配的导通电阻特性参数。3.根据MOSFET的导通电阻特性参数，使用下述公式计算导通电阻：Rds = ...
垂直介质结构穿过位于同一列的水平掺杂区、并延伸至第一个水平掺杂区的内部。产品独权相关内容。本申请在保障耐压水平的同时使用更高浓度的外延层，进而能够降低功率器件的比导通电阻，有利于提高功率器件的电流密度。天眼查资料显示，安徽芯塔电子科技有限公司，成立于2020年，位于芜湖市，是一家以从事科技推广和应用...