储能、充电桩、电力电网等领域 △项目总平图 该项目是响应国家 “创新驱动发展战略”的重大举措 建成后将成为国内最大的 SiC功率半导体制造基地 推动长飞先进半导体成为 中国第三代半导体产业领头羊 助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地 为高科技产业新升级贡献央企力量 中建一局厂房代表作 ▲合肥京东方10.5代薄膜...
长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等 ，将助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。长飞先进半导体生产现场 安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一...
9月1日，长飞先进半导体武汉基地开工仪式在武汉新城举行。项目位于光谷科学岛，项目总投资预计超过200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，产能规模将居行业领先地位。在碳化硅...
预计投产后可年产 36万片碳化硅晶圆及外延 6100万个功率器件模块 为高端制造业等多领域供核心部件 助力武汉打造国内碳化硅 产能最大的一体化新高地 项目位于湖北省武汉市 总建筑面积约30.15万平方米 建设内容包括芯片厂房、封装厂房 外延厂房、动力厂房成品库、生产调度大楼等 建成后将推动区域经济发展 为湖北加快建成...
长飞先进武汉基地是武汉新城诞生的第一个项目,聚焦第三代半导体功率器件研发与生产。 长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹介绍,碳化硅是第三代化合物半导体的典型代表,凭借耐高温、耐高压、高频化、低损耗等材料优势,能够大幅提高器件的能源转化效率、减少能耗并降低系统成本,将逐步取代传统硅基器件进而成为未来功...
12月18日,长飞先进武汉基地建设再次迎来新进展——项目首批设备搬入仪式于光谷科学岛成功举办,长飞先进总裁陈重国及公司主要领导、嘉宾共同出席见证。 对于半导体行业而言,厂房建设一般主要分为四个阶段:设备选型、设备搬入、工艺验证及产品通线。本次设备搬入作为厂房建设发展历程中重要一环,标志着长飞先进武汉基地即将...
武汉长飞先进半导体基地项目 幕墙工程全面完工 进入室内精装修及设备安装阶段 作为武汉新城的首个项目 预计投产后可年产 36万片碳化硅晶圆及外延 6100万个功率器件模块 为高端制造业等多领域供核心部件 助力武汉打造国内碳化硅 产能最大的一体化新高地 项目位于湖北省武汉市 ...
据中建一局官微消息，近日，国内最大的SIC功率半导体制造基地——武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装，标志着项目钢结构施工全面展开，助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地。据悉，长飞先进武汉基地项目位于湖北省武汉市，总投资200亿元。其中，一期已于2023年9月开工，预计今年6月封顶，2025年上半年形成...
据中建一局官微消息,近日,国内最大的SIC功率半导体制造基地——武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装,标志着项目钢结构施工全面展开,助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地。 据悉,长飞先进武汉基地项目位于湖北省武汉市,总投资200亿元。其中,一期已于2023年9月开工,预计今年6月封顶,2025年上半年形成产能。
近日,SiC功率半导体制造基地——武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装,标志着项目钢结构施工全面展开。该项目钢结构建设内容包括钢结构大跨度桁架屋面2座、大跨度连廊5座、超长管廊1座,单榀桁架最重25吨,最大跨度33.7米。 吊装实景图(source:中建一局) ...