模拟型忆阻器可以通过改变脉冲电压的形状、频率、持续时间等参数来模拟不同突触功能相应的神经刺激信号的特点,从而得到相应的导电态的变化。这种导电态的变化是非易失性的,即即使电源关闭,忆阻器的状态也会保持不变,这与神经突触的可塑性非常相似。 二、模拟型忆阻器...
模拟型忆阻器的存储方式一般为通过控制电压或电流来改变电容器或电感器的电荷状态。模拟型忆阻器通常包括电容型忆阻器和电感型忆阻器等类型,它们的输入和输出均为模拟信号。 数字型忆阻器和模拟型忆阻器在电路设计中都有广泛的应用。数字型忆阻器可以用于存储程序计数器、状态寄存器等数字信号,而模拟型忆阻器则可以用于...
华中科技大学孙华军教授,叶镭教授课题组通过控制薄膜中氧分布,制备“V”型氧空位分布的5层AlOx忆阻器,在结构上模拟了突触前膜、突触间隙、突触前膜和突触后膜上的受体蛋白,并且模拟了生物突触的信息传递过程,通过调节电压,实现不同程度的...
17、本发明公开了一种非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器的制备方法,在绝缘衬底上沉积一定厚度的高稳定性导电薄膜,作为忆阻器的底电极,是保证构建的忆阻器电学性质的稳定性及可靠性的基础,高稳定性导电薄膜作为忆阻器的底电极,是获得优异忆阻器的重要组成部分;采用物理气相沉积方法,在底电极上沉积氧缺陷含量梯度变化非晶氧...
为了探究忆阻器的模拟性能和应变记忆效应,本文设计了一个忆阻器模拟电路,通过对电流、电压和电荷的测量,验证了忆阻器的性能和应用。实验结果表明,忆阻器的电阻值随着电流的变化呈现出明显的非线性关系,同时也能够在不同的电压下维持不同的电阻值。这种非线性关系和电阻值...
多模忆阻器是一种新型的忆阻器,它可以模拟神经元之间的连接强度变化。神经元在不同的情境下可以表现出多态性,即它们可以产生不同的响应模式。多模忆阻器也可以在不同电阻状态下产生不同的响应,从而模拟神经元的多态性。多模忆阻器的电阻状态可以通过施加电压或...
本发明公开了一种非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器及制备方法和应用,属于非易失性存储器及神经网络计算技术领域。方法包括:先在绝缘衬底上沉积第一导电薄膜,作为模拟型阻变忆阻器的底电极;再采用物理气相沉积方法,生长氧缺陷含量梯度变化的非晶氧化钨薄膜,作为模拟型阻变忆阻器的阻变介质存储层;最后,沉积第二导电薄膜,作...
一种模拟型HfOx/HfOy同质结忆阻器及其调控方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种模拟型HfOx/HfOy同质结忆阻器及其调控方法说明:本发明属于微电子器件技术领域,公开了一种模拟型HfOx/HfOy同质结忆阻器及其调控方法,该同...
本发明公开了一种六翼蔡氏结型局部有源忆阻器的等效模拟电路。本发明包括状态变量产生电路和依赖状态的欧姆定律电路;具体包括二输入反相求和运算电路、多输入反相求和运算电路、同相积分运算电路、乘法器电路和欧姆定律电路。通过二输入反相求和电路限幅实现绝对值运算,通过多输入反相求和电路以及同相积分运算电路求得状态变...
一、易失性忆阻器的原理 易失性忆阻器是一种基于忆阻效应的电子器件,其阻变机理可以分为金属导电细丝型、OTS型和MIT型三类。其中,金属导电细丝型易失性忆阻器是最常见的一种,其基本结构由两个金属电极和一个金属导电细丝组成。当施加电压时,...