它们在晶体管中起着不同的作用。 1.栅极:栅极是晶体管的控制电极,通过改变栅极电压,可以控制晶体管的导电性能。当栅极电压为正时,会吸引源极电流,导致漏极的电流增加,使晶体管处于导通状态;当栅极电压为负时,会抑制源极电流,导致漏极的电流减少,使晶体管处于截止状态。通过改变栅极电压的大小,可以实现晶体管的...
源极的主要作用如下: 1.1电子注入:在FET中,通过源极注入的电子将形成电流,这是电流的起点。在BJT中,源极注入的电子形成基电流,控制整个晶体管的工作。 1.2电流控制:源极通过控制栅极电压或基电流,可以调节电流的大小。在FET中,源极与栅极之间的电压决定了通道的导电性,从而控制了电流的大小。在BJT中,源极(发射...
漏极是场效应晶体管的输出端口,器件的输出信号将从这个引脚被输入到外部电路中。当栅极电压足够高时,它会克服PN结的阻挡作用使得电子可以向漏极运动,形成导电通道并输出放大后的信号。可以通过使用万用表或示波器来测量PN结上的电位来确定漏极的位置。
在晶体管导通时,电流从漏极到源极,实现了电子或空穴在晶体管内的导电。因此,漏极的作用是为电流输出提供电路路径。 综上所述,栅极、源极和漏极是晶体管中起着重要作用的三个区域。栅极用于控制漏极-源极当前的流动,也就是控制晶体管的开关状态;源极为晶体管提供电荷,漏极为电流输...
源极、漏极和栅极的协同作用:在此电路中,源极提供电流入口,漏极衔接LED,栅极控制MOS管的导通和截止。 性能优化提示 要优化MOS管性能,需求正确调整源极、漏极和栅极参数。以下是一些常见的优化倡议: 栅极驱动电压:确保栅极电压足以使MOS管完整导通,防止局部导通状态,以减少热损耗。
栅极是由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极，多极电子管中最靠近阴极的一个电极，具有细丝网或螺旋线的形状，插在电子管另外两个电极之间，起控制板极电流强度、改变电子管性能的作用。漏极在栅极的左侧，源极在栅极的右侧。阳极是MOS管的正端面（负端面的作用是将发射区中的电荷转移到集电区中去）。
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一...
RT，求解惑，谢啦。
转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm 的量纲为mA/V,所以gm也称为跨导。跨导的定义式如下:2.漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用。VDS=const这一曲线描述,称为转移特性曲线,见图02.14。转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm 的量纲为mA/V,所以g...
为实现场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在工作时,栅极和源极之间的PN结必须正向偏置。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学