专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制备方法、存储器，涉及半导体技术领域，用于解决栅极对沟道控制能力差的技术问题，该半导体结构包括柱状的第一栅极、半导体层和环状的第二栅极，第一栅极沿第一方向延伸；半导体层包覆第一栅极的至少部分外周面；第二栅极包覆半导体层的至少部分外周面；第二栅极在半导体层上投...
1、 线性区：当Vds较小时，|Vds|<|Vgs|-|Vth|，Vgs<0，D端附近空穴少于S端，沟道形成楔形分布，...
存储单元包括至少一个晶体管，每个晶体管包括栅极、栅介质、半导体沟道、上电极和下电极，半导体沟道至少环绕在栅极的外周侧，栅介质形成在半导体沟道与栅极之间，上电极和下电极均位于半导体沟道的外侧，并与半导体沟道相接触，下电极绝缘设置在上电极
1、 线性区：当Vds较小时，|Vds|<|Vgs|-|Vth|，Vgs<0，D端附近空穴少于S端，沟道形成楔形分布，...
金融界2024年12月12日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器”的专利,公开号 CN 119108419 A,申请日期为 2023 年 6 月。 专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构及其制备方法、存储器,涉及半导体技术领域,用于解决栅极对沟道控制能力差的技术问题,该半导体结构...
金融界2024年12月12日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器”的专利,公开号 CN 119108419 A,申请日期为 2023 年 6 月。 专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构及其制备方法、存储器,涉及半导体技术领域,用于解决栅极对沟道控制能力差的技术问题,该半导体结构...
后来就得用个大石头压着才能关断。栅极对沟道电流的控制同理，扩大栅极与沟道的接触面积能有效提高控制...