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By adopting the latest generation U-MOSX-H process with a low voltage trench structure, the new products feature industry-leading[2]low drain-source On-resistance. And by optimizing the device structure, they have improved the tradeoff between the On-resistance and output charge[3]...
熱シミュレーションモデル(1) 信頼性情報(1) アプリケーションノート(30) カタログ(2) 名称 日付 データシート TK17A65W5 データシート/日本語 PDF: 372KB 2015年09月 データシート TK17A65W5 データシート/英語 PDF: 243KB 2015年09月 シミュレーションモデル...
信頼性情報(1) アプリケーションノート(30) カタログ(2) 名称 日付 データシート TK4Q60DA データシート/日本語 PDF: 342KB 2012年10月 データシート TK4Q60DA データシート/英語 PDF: 239KB 2012年10月 シミュレーションモデル PSpiceモデル lib: 3KB 2016年07月...
熱シミュレーションモデル(1) 信頼性情報(1) アプリケーションノート(30) カタログ(2) 名称 日付 データシート TK090A65Z データシート/日本語 PDF: 522KB 2018年11月 データシート TK090A65Z データシート/英語 PDF: 412KB 2018年11月 シミュレーションモデル PS...
信頼性情報(1) アプリケーションノート(30) カタログ(1) 名称 日付 データシート TK17A80W データシート/日本語 PDF: 519KB 2016年02月 データシート TK17A80W データシート/英語 PDF: 410KB 2016年02月 シミュレーションモデル PSpiceモデル lib: 3KB 2017年05月...