杨睿,上海交通大学密西根学院教授,博士生导师,双聘于交大电子信息与电气工程学院电子系,国家高层次青年人才计划入选者。2011年在天津大学本科毕业,2016年在美国凯斯西储大学获得博士学位,2016至2018年在美国斯坦福大学H.-S. Philip Wong教授课题组从事博...
针对该挑战,上海交通大学密西根学院杨睿团队建立了一个用于二维纳米机电谐振器的应变增强DR模型,并通过利用引入栅极诱导应变来进行实验验证。DR由从系统本底噪声(热机械共振)到最大线性振动幅度(0.745xc,其中xc是决定非线性开始的临界振幅)的线...
🏫 学校:上海交通大学 🏛️ 学院:密西根学院 🔬 专业:电子科学与技术 📈 研究方向:基于二维纳电子和纳机电器件的新型存储和存内计算 👩🏫 招收导师:杨睿,副教授 📚 导师个人简介:杨睿副教授在Nature Electronics、Nature Communications等期刊和会议上发表论文40余篇,获得上海市“启明星”计划...
近日,上海交通大学密西根学院杨睿教授课题组、北京科技大学张林兴教授课题组、以及西班牙巴斯克大学的方跃文教授课题组通过合作,在超薄铁电隧道结方面取得新突破。该研究利用钐掺杂的氧化铋在1纳米厚薄膜中实现较强且稳定的铁电极化,并进一步结合铁电极化对类肖特基结的调控作用,在1纳米厚的铁电隧道结中实现了7×10⁵的...
有鉴于此,近日,上海交通大学杨睿教授团队实验展示了具有指数电流-电压(I-V)关系的2D材料异质结选择器,并将其与氧化铪(HfOx)基RRAM集成,形成1S1R单元。多层石墨烯(MG)/WS2/Pt选择器包含两个具有不同肖特基势垒的非对称异质结,从而导致高度非线性和非对称的I-V特性。1S1R单元中的2D选择器可以成功驱动RRAM,将潜行...
近日,上海交通大学密西根学院杨睿教授课题组、北京科技大学张林兴教授课题组、以及西班牙巴斯克大学的方跃文教授课题组通过合作,在超薄铁电隧道结方面取得新突破。该研究利用钐掺杂的氧化铋在1纳米厚薄膜中实现较强且稳定的铁电极化,并进一步结合铁电极化对类肖特基结的调控作用,在1纳米厚的铁电隧道结中实现了7×10...
杨睿,上海交通大学密西根学院副教授,博士生导师,双聘于交大电子信息与电气工程学院电子系。2011年在天津大学本科毕业,2016年在美国凯斯西储大学获得博士学位,2016至2018年在美国斯坦福大学H.-S. Philip Wong教授课题组从事博士后研究工作。2018年8月加入交大密西根学院。主要研究方向包括二维纳机电系统、基于忆阻器的存算...
近日,电子科技大学王曾晖团队与上海交通大学杨睿团队以「On-chip mechanical computing: status, challenges, and opportunities」为题在Chip上联合发表综述论文¹,全面介绍了基于片上微纳机电系统的下一代存储和计算器件。共同第一作者为王璐明、张鹏程,共同通讯作者为王曾晖、杨睿。Chip是全球唯一聚焦芯片类研究的综合性...
杨睿，上海交通大学密西根学院助理教授，博士生导师。之前在斯坦福大学Electrical Engineering从事博士后研究工作...