杨少延等,中国发明专利:一种生长氧化锌薄膜的装置及方法,专利号:ZL200610169751.1,申请日:2006.12.28,授权日:2010.2.17 10.郭严等,发明专利:一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法,专利号:201010157637.3,申请日:2010.4.21,授权日:2011.10.5 11.杨少延,邀请报告:硅衬底氮化镓材料发展节能新技术的机遇与挑战,...
杨少延目前担任中科空间太阳能科技(广州)有限公司、中科国药控股(广州)有限公司法定代表人,同时在6家企业担任高管,包括担任中科空间太阳能科技(广州)有限公司执行董事,中科国智科技(北京)有限公司董事;二、杨少延投资情况:杨少延目前是海南九五科技有限责任公司直接控股股东,持股比例为70%,是中科空间太阳能科技(北京)有限...
人物简介: 一、杨少延担任职务:担任中科半导体(深圳)有限公司监事;二、杨少延的商业合作伙伴:基于公开数据展示,杨少延与任顺标为商业合作伙伴。 财产线索 线索数量 老板履历 图文概览商业履历 任职全景图 投资、任职的关联公司 商业关系图 一图看清商业版图 合作伙伴 了解老板合作关系 ...
杨少延,男,1973年5月生,中共党员,博士,博士生导师,研究员。1999年自吉林大学硕士毕业到中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室参加工作,曾任离子束外延组和超宽禁带半导体材料组组长,主要从事宽禁带半导体材料、器件及材料生长设备研究开发工作,熟悉科研项目、团队管理及研发平台建设工作。已发表论文162篇(通讯作...
8.杨少延等,中国发明专利:一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料,专利号:ZL0.7,申请日:2006.12.28,授权日:2009.9.30 9.杨少延等,中国发明专利:一种生长氧化锌薄膜的装置及方法,专利号:ZL1.1,申请日:2006.12.28,授权日:2010.2.17 10.郭严等,发明专利:一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法,专利...
杨少延,男,1973年5月生,博士,研究员,博士生导师。学习经历:1992至1996年于哈尔滨师范大学物理系攻读大学本科,获得物理教育专业理学学士学位;1996至1999年于吉林大学材料科学与工程系攻读硕士,获得凝聚态物理专业理学硕士学位;2002至2005年于中科院半导体所攻读在职博士,获得材料与物理化学专业工学博士学位,博士论文题目:大...
杨少延 人物简介: 杨少延, 担任日照市博峰源中药饮片有限公司德济堂药房 等法定代表人, 担任日照市东港区旺福缘商贸有限公司 等股东, 担任日照华方医疗器械有限公司、日照市东港区旺福缘商贸有限公司、日照市博峰源中药饮片有限公司德济堂药房等高管。 更新时间:2022-02-11...
人物简介: 一、杨少延的商业合作伙伴:基于公开数据展示,杨少延目前有4个商业合作伙伴,包括任顺标、刘祥林、姚威振等。 财产线索 线索数量 老板履历 图文概览商业履历 任职全景图 投资、任职的关联公司 股权穿透图 挖掘深层股权结构 商业关系图 一图看清商业版图 合作伙伴 了解老板合作关系 ...
杨少延,男,1973年生,博士,副研究员,硕士生导师。1996年于哈尔滨师范大学物理系获物理教育专业理学学士学位。1999年于吉林大学材料科学与工程系获凝聚态物理专业理学硕士学位, 2006年于中国科学院半导体研究所获材料物理与化学专业工学博士学位。