解:杂质能级和能带能级是有区别的,在能带中的能级可以容纳自旋方向相反的两个电子;而对于施主杂质能级只能是或者被一个有任一自选方向相反的电子所占据,或者不接受电子这两种情况中的一种。杂质能带:当掺杂浓度很高、以致相邻杂质原子的基态电子轨道发生交叠时 ,杂质能级即展宽为杂质能带。电子在杂质能带中同样具有一定...
半导体中的杂质和缺陷能级(一):硅和锗中的杂质能级 1、替位式杂质和间隙式杂质 2、施主杂质和施主能级 3、受主杂质和受主能级 4、浅能级杂质电离能的简单计算方法——类氢模型 5、杂质的补偿作用 (1)施主杂质浓度远大于受主杂质浓度( ) (2)受主杂质浓度远大于施主杂质浓度( ) (3)施主杂质浓度近似等于受...
1、III-IV族化合物半导体中的杂质能级 (1)一些基本性质 ①由铝、镓、铟和磷、砷、锑形成的九种化合物(AlP,AlSb,AlAs,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb)都结晶成闪锌矿型结构。 (2)不同元素掺入的实验结果 ①Ⅰ族元素一般在砷化镓中引入受主能级,起受主作用。 ②II族元素掺入III-V族化合物半导体中,通常取代...
杂质能级名词解释 杂质能级是指在固体或材料中存在的能级,其能量位于晶格原子或分子能级之间。杂质能级的形成通常是由于杂质原子被掺入到晶体结构中,破坏了原有晶体的完美性,从而在能量带结构中形成了额外的能级。这些能级可以对晶体的电子行为产生重要影响,如改变电子的运动和输运性质。杂质能级的性质和分布可以通过实验...
§2.1硅、锗晶体中的杂质能级 §2.1.1替位式杂质间隙式杂质 一个晶胞中包含有八个硅原子，若近似地把原子看成是半径为r的圆球，则可以计算出这八个原于占据晶胞空间的百分数如下：2r1483a3 3 r= 38 a r 43a 0.34 说明，在金刚石型晶体中一个晶胞内的8个原子只...
答:物理意义:在纯净的半导体中,掺入少量的其它元素杂质,对半导体的性能 影响很大。由于杂质的存在,使得该处的周期性势场受到扰乱,因而杂质的电子 不能处于正常的导带或价带中,而是在禁带中引入分裂能级,即杂质能级。根据 杂质能级在禁带中的位置不同,分为深能级杂质和浅能级杂质。又根据杂质电离 后施放的电子还是空...
为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小? 2•说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之 下,而且电离能的数值较小 3说 明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下 而且电离能的数值较小? 4说明杂质...
室温条件下,Si和Ge中的III、V族杂质几乎全部离化。 4. 浅能级杂质电离能的简单计算方法——类氢模型 以Si中掺入P为例,杂质电离能就是P多余的价电子挣脱正电中心的束缚成为自由电子所需要的能量,这个与氢原子核外电子挣脱原子核束缚的情况很类似,不过现在的情况是在以Si作为背景。所以用类氢模型来近似计算浅能级...
杂质能级的形成是由于金原子在硅晶体中形成了杂质能带,与硅晶体的价带和导带形成了能级交叉。 具体来说,金原子在硅中形成的杂质能级通常可以分为浅能级和深能级两类。 1.浅能级:浅能级能量较低,位于硅的禁带中,离导带较近。当金原子引入硅中时,其中的一个价电子被捐献给硅晶体的导带,形成一个可由电子填充的...
杂质能级就好比是火候,它决定了红烧肉的口感和味道;电离能则像是火力的大小,它决定了红烧肉是否能够均匀地受热,从而变得美味。 再比如,我们在学习化学的时候,经常会接触到一些化合物,这些化合物是由不同的元素组成的。这些元素的原子或分子在不同的位置上有不同的能量状态,这就是所谓的杂质能级。而电离能则是...