可以看出,杂质能级上的载流子浓度取决于杂质浓度、杂质能级与费米能级的相对位置以及温度等因素。 (3)n型半导体载流子浓度 以n型Si半导体为例,n型半导体的电中性条件:qn_0=qn_D^++qp_0,化简得到 n_0=n_D^++p_0 导带电子浓度来源:施主电离浓度和本征激发浓度。 代入得到: 加入约束条件简化等式以求解 E_F...
杂质半导体是指在纯净半导体中掺入少量具有不同价电子数的杂质原子后形成的半导体材料。这些杂质原子可以是三价或五价元素,它们替代了原晶体中的四价硅或锗原子,从而改变了材料的导电性能。 纯净半导体:指未掺杂任何杂质的半导体材料,如单晶硅和单晶锗等。它们的导电性介于导体和绝缘体之间,受温度、光照等因素影响较大...
杂质半导体是指用特定的杂质原子(掺杂)掺入半导体中,以改变其固有特性的一种半导体。通常情况下,纯净的半导体晶体中夹杂着微小的数量级的原子或分子,成为复合杂化物。在制造半导体电子元件时,对杂原子的掺杂加工便形成了杂质半导体。 1.什么是杂质半导体 杂质半导体是将原本的纯净半导体中加入少量外来原子提高其电学性质...
因此n型半导体在强电离区,多子浓度 n0=ND 不变,但是少子浓度 p0 严重依赖温度的。这对双极型器件,例如npn,pnp结构是非常不利的。 (4)过渡区 过渡区——在高温区的基础上温度继续升高,杂质全部离化且本征激发不能忽略不计所对应的温度区间。 n型半导体电中性条件:n0=nD++p0 由于杂质全部离化,因此 nD+=ND ...
杂质半导体是指通过在纯净半导体中引入少量掺杂物（杂质），改变其导电性质的半导体材料。纯净的半导体材料通常具有很高的电阻率，无法有效地导电。通过掺杂少量的杂质，可以改变材料的导电性质，使其能够在一定条件下成为良好的导体或绝缘体。2. 为什么需要掺杂杂质？掺杂杂质可以改变半导体的导电性质，使其适用于不同的...
杂质半导体,又称为掺杂半导体,是指在纯净的半导体材料中故意掺入少量其他元素(称为杂质或掺杂剂)后形成的半导体材料。这种掺杂过程会显著改变半导体的电学性质,从而使其适用于各种电子器件和集成电路中。 掺杂类型与影响 N型半导体:当在纯半导体中掺入五价元素(如磷、砷等)时,这些元素的一个外层电子将不受原子核束...
杂质半导体是指在半导体材料中掺入少量杂质原子,以改变材料的导电性能而形成的半导体。掺入的杂质原子可以是阴离子,也可以是阳离子,称为n型杂质半导体和p型杂质半导体。 二、杂质半导体的性质 1.导电性能:掺入n型或p型杂质原子后,半导体...
本征半导体是指纯净的半导体晶体,其中只包含原子和空穴。在本征半导体中,价带与导带之间的能隙是固定的,晶体中没有额外的能级。由于晶体中的载流子很少,因此本征半导体的导电性能差。 二、杂质半导体 杂质半导体需要加入少量外来元素才能变为半导体。加入不同的元素会形成不同的杂质半导...
1、杂质半导体按导体电流类型分为百电子型半导体和空穴型半导体 2、N型半导体,以电子为多数载流子的半导材料,n为negative(负)之意。 n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质,使禁带中出现杂质能级,若杂质原子能给出电子的,其能级为度施主能级,该半导体为n型半导体。如将V族元素砷杂质加...
在本征半导体中掺入微量杂质形成杂质半导体后,其导电性能将发生显着变化。按掺入杂质的不同,杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体。 N型半导体 如果在本征半导体硅(或锗)中掺入微量5价杂质元素,如磷、锑、砷等,由于杂质原子的最外层有5个价电子,当其中的4个与硅原子形成共价键时,就会有多余的1个价电子。这个...