作为典型mos门极压控器件其开关损耗主要决定于开关工作电压电流温度以及门极驱动情况等因素系统的结构如主回路杂散电感会影响igbt的开关特性进而影响开关损耗任何对其开关性能的研究都必然建立在实验测试基础之上并在实际设计中尽量优化以降低变流回路杂散电感 杂散电感对IGBT开关过程的影响 杂散电感对IGBT开关过程的影响...
杂散电感对IGBT开关过程的影响 1简介 IGBT的开关损耗特性研究对IGBT变流器设计具有重要的意义,在有结构紧凑性要求或可靠性要求较高或散热条件特殊的场合,都需要严格按器件损耗特性进行大余量热设计以保证IGBT及IGBT变流器的温升在长期可靠性运行所允许的范围之内。IGBT是主流中大容量/中高速器件,开关损耗特性研究得到一贯重...