西安交通大学电子与信息工程学院 被引频次 7189 成果数 579 H指数 41 G指数 72领域: 物理学 期刊 75% 会议 23% 专著 0% 其它 2% 总计 579篇 2006年成果数62 2011年被引量725 全部年份 全部类型 全部作者 按时间降序 Study of the Doubly Clamped Beam Yarn Tension Sensor Based on the Surface Acoustic...
模拟退火和多种群并行遗传进化是两种较好的改进遗传算法性能的方法.将这两种思想有机地结合起来,提出了一种基于模拟退火机制的多种群并行遗传算法.仿真结果表明,该算法不仅能增强算法的全局收敛性,还能加快遗传进化速度,得到满意的全局最优值. 著录项
结果表明,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit|E特性受硅材料掺杂浓度的影响很小.但低掺杂硅锥阴极顶端的电位随发射电流增大而明显上升.锥体上电位变化可以等效为一个与锥体形状与掺杂相关的串联电阻的作用,这一电阻对单尖发射电流有负反馈作用.另外,在常规的工作状态下,硅锥阴级的温升并不严重....
朱长纯,著名纳米电子材料与器件科学家,西安交通大学教授、博士生导师, 1962年毕业于吉林大学物理系, 1962年至1978年在哈尔滨工业大学物理系和电子工程系任教。1978年西安交通大学电信学院任教,1991年和1993-1994年两次去美国新泽西工院微电子研究中心作访问教授,曾任
建立了碳纳米管场发射环境下电子与气体碰撞的数理模型。通过实验观察和理论分析说明:碳纳米管场发射显示器在常规阴阳极间距下,在不同真空度下的显示均为电子轰击荧光粉发光所致,在低真空度下也无气体放电产生紫外光致荧光粉发光;当真空度太低时,气体电离会降低实际加在阴阳极间的电压...
朱长纯,著名纳米电子材料与器件科学家,西安交通大学教授、博士生导师, 1962年毕业于吉林大学物理系, 1962年至1978年在哈尔滨工业大学物理系和电子工程系任教。个人简介 1978年西安交通大学电信学院任教,1991年和1993-1994年两次去美国新泽西工院微电子研究中心作访问教授,曾任西安交通大学电信学院真空微电子与微电子...