本文主要是对影响MOS管输出电流的因素进行建模,主要包括栅压 VGS、沟道长度调制效应以及衬偏效应,并在后面介绍了MOS的本征电容。 一、线性区MOS模型 MOS线性区电流公式为:ID=μCoxWL[(VGS−VTH)VDS−12VDS2] 而当VDS<<VGS-VTH时,公式退化为: ID=μCoxWL[(VGS−VTH)VDS] 此时,称MOS处于深三极管区 对于...
反相器的本征电容主要是接线电容。 一、反相器的本征电容及其特点 反相器是一种重要的电路元件,具有将输入信号的相位反转180度的作用。在反相器中,电路输入端与输出端之间会存在一个被称为本征电容的电容。这个电容与电路中其它元器件的电容不同,是反相器固有的电容,并且会对反相器的性能产生...
1. 耦合电容的主要功能是允许有用的交流信号顺利通过,同时阻止无用的直流信号通过,从而实现信号的耦合与去耦。它在电子线路中起到了至关重要的作用,尤其是在信号处理与传输方面。 2. 本征电容则是材料或元件自身的属性,影响着电路的性能。它通常不是特意添加的,而是由元件的物理特性所决定...
当有外加电压变化时,空间电荷区的宽度会发生改变,这就相当于电容的极板间距发生变化,从而产生电容效应,这就是二极管的本征电容。 ② 对于晶体管来说,比如双极型晶体管(BJT),它存在多种本征电容。发射结电容和集电结电容是其重要的本征电容组成部分。发射结电容会影响晶体管对高频信号的响应,当信号频率较高时,发射...
栅氧化层作为介质,形成垂直于沟道的平板电容,沟道区域存在随电压变化的耗尽层电容与反型层电容,三种电容共同构成MOS本征电容体系。 栅氧化层电容Cox由物理结构直接决定,对应单位面积的氧化物电容值,与氧化层厚度成反比,与介电常数成正比。沟道未形成时,Cox与衬底耗尽层电容Cdep串联,总有效电容下降。当栅压超过阈值电压...
寄生电容:包括由于制造工艺和布局引起的所有不希望存在的电容,其中可能包括扩散电容的一部分。 扩散电容:属于寄生电容的一种,因为它是在半导体材料中由于载流子扩散产生的。 本征电容:一般不属于寄生电容,因为它是器件固有的特性,设计中是预期存在的。 在一些情况下,寄生电容可以包含扩散电容。例如,MOSFET中的源漏电容(...
为了降低反相器的本征电容,提高电路性能,我们可以采取以下优化策略: 1. 优化器件结构:通过改进反相器的结构,如减小栅极与源极、漏极之间的距离,可以降低电容值。 2. 选用合适材料:选用介电常数较小的材料作为栅极和衬底之间的介质,可以降低电容...
MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容?答:MOSFET本征电容包括:栅-衬电容CGB;栅-源电容CGS;栅-漏电容CGDMOSFET寄生电容包括:栅-源、栅-漏覆盖电容;栅-衬底覆盖电容;源、漏区pn结势垒电容。 相关知识点: 试题来源: 解析 没有办法 (问题不完整或答案正确但需要舍弃)反馈 收藏 ...
[名词解释] MOSFET本征电容 相关知识点: 试题来源: 解析 即交流小信号或大信号工作时电路的等效电容,它包括栅漏电容和栅源电容,栅漏电容是栅源电压不变、漏源电压变化引起沟道电荷的变化与漏源电压变化量之间的比值,而栅源电容是指栅压变化引起沟道电荷与栅源电压变化量之间的比值。
MOSFET本征电容包括:栅-衬电容CGB;栅-源电容CGS;栅-漏电容CGDMOSFET寄生电容包括:栅-源、栅-漏覆盖电容;栅-衬底覆盖电容;源、漏区pn结势垒电容。00分享举报您可能感兴趣的内容广告 淘宝网-万千2极管,淘不停! 淘宝网,专业的一站式购物平台,汇集众多品牌,超值商品,超低价格,随时随地,想淘就淘. 淘宝网-万千开...