采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款高集成度的六位宽带有源矢量合成移相器,该有源矢量合成移相器采用定制设计的超宽带无源巴伦和RLC正交网络,产生宽带的正交信号,保证幅度和相位平衡性.采用双平衡吉尔伯特结构的矢量合成加法器对四路正交信号合成,其输入级偏置通过超宽带无源巴伦中心抽头提供,吉尔伯特结构开关级用作...
矢量合成移相器可变增益放大器共源共栅本文基于65 nm硅基互补金属氧化物半导体工艺设计了一款Ka波段有源矢量合成移相器.该电路由正交耦合器,单端转差分信号的巴伦,可变增益放大器,信号合成网络组成.基于集总LC等效模型的正交发生器能够实现紧凑尺寸并获得高精度正交信号;可变增益放大器采用数字控制的共源共栅架构,能够...
电流合成基于65 nm CMOS工艺设计了一款33.5~37.5 GHz的6 bit有源矢量合成型移相器(VSPS).该移相器采用Lange类型的90°耦合器作为I/Q信号发生器,其中的电感采用8字形电感实现;此外,矢量合成部分采用电流合成结构,使芯片面积更加紧凑.后仿真结果显示,该移相器覆盖360°移相范围,对于64种移相角度状态,其整个工作频带...
本发明涉及有源移相器,提供一种基于矢量合成技术的片上有源移相器,用于解决片上有源移相器功耗高,相位误差和幅度误差大的问题.本发明包括功率分配单元,正交信号产生单元,两个差分信号产生单元,信号合成单元及输出巴伦,单端输入信号输入功率分配单元的输入端,功率分配单元将输入信号分为两路同相信号输出到正交信号产生...
矢量合成毫米波雷达面向毫米波相控阵雷达系统应用,该文基于55 nm CMOS工艺设计了一款工作于130 GHz的有源矢量(VM)合成移相器.该电路包含宽带正交发生器,可变增益放大和矢量合成模块.为提升移相器相位分辨率和移相精度,该电路可变增益放大采用了具有高频宽带属性的共栅放大结构和具有高增益属性的含中和电容的共源共栅放大...
本发明揭示了一种高性能毫米波有源矢量合成移相器,依次包括输入匹配放大电路,正交耦合器,两路级间处理电路,矢量合成器以及输出匹配电路;输入匹配放大电路,用于实现输入信号的阻抗匹配,直流隔离以及功率放大;正交耦合器,用于将输入信号转换为相位差为90°的输出信号;级间处理电路,用于对相位差为90°的两路信号进行放大,...
本发明公开了一种基于时变矢量合成的高精度有源移相器,设有正交发生单元,I路双相调制单元,Q路双相调制单元,矢量合成单元,复用放大单元,偏置单元和时序控制单元.射频输入信号经正交发生单元后输出两路正交信号,然后分别经I路双相调制单元和Q路双相调制单元后在矢量合成单元中进行矢量合成,最后经复用放大单元放大后输出...
本发明公开了一种基于时变矢量合成的高精度有源移相器,设有正交发生单元,I路双相调制单元,Q路双相调制单元,矢量合成单元,复用放大单元,偏置单元和时序控制单元.射频输入信号经正交发生单元后输出两路正交信号,然后分别经I路双相调制单元和Q路双相调制单元后在矢量合成单元中进行矢量合成,最后经复用放大单元放大后输出...