间隙掺杂和替位掺杂在半导体材料掺杂技术领域中占有重要地位。两种掺杂方式在原子位置和浓度方面具有显著差异。间隙掺杂特指将杂质原子填充晶体结构的间隙，这类原子体积通常小于基体原子，能有效增加电导率。然而，间隙掺杂可能引起晶体结构畸变和机械强度下降。替位掺杂则是将杂质原子取代基体原子的位置，这类...
掺杂位置不一样。根据掺杂位置的不同可以将掺杂类型分为间隙式掺杂和替位式掺杂。间隙掺杂，指在间隙中掺杂。 替位掺杂，指在替拉中掺杂。一般来说间隙掺杂的能量比较高，没有替代掺杂稳定。另外间隙掺杂相当于多挤进一个原子在晶胞里，不管它本身比被替代的原子是大还是小，都应该是晶格发生膨胀，晶胞...
作者采用以WO3、Ni(OH)2和LiOH·H2O为前驱体,通过共沉淀法制备了W掺杂的LiNiO2正极材料。作者利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)下的电子能量损失谱(EELS)实验对材料的结构进行了研究,并确定了W在材料内部的分布。用扣式电池进行的电化学测试证明,以掺杂1% W合成的材料具有良好的容量保持率。相关成果以“M...
KH区域有容量恢复,H3→H2峰保持其强度和形状,表明材料的衰退最小且容量保持性良好。 图5 不同W含量和不同温度下合成的W掺杂LNO电极的电化学性能。 总结与展望 综上所述,该项工作清楚地表明,当W作为掺杂剂掺入LNO中时,W并未替代Ni或Li掺杂...
文献来自于吉大张绳百组里的一篇,PRB 82, 155132,做了alfa石英不同n和p型的替位掺杂。算形成能的时候用的具体公式见图! X是杂质原子,Y是被替换的Si,我不明白的是highlight的这句话,计算u(X)和u(Y)的时候是相对于单质的u(X)和u(Y)来说的:u(X) and u(Y) are the chemical potential of ...
本视频将系统演示 Materials Studio 中石墨烯掺杂改性的建模流程,涵盖替位式 / 间隙式掺杂原子的精准引入与结构优化。详细解析掺杂浓度控制、晶格畸变分析及缺陷结构验证技巧,助您掌握二维材料改性设计的核心方法,为电子器件、储能材料等领域的性能调控提供模型支撑。,
首先建立了一个单层WSeTe六角晶系的4 × 4超胞含有48个原子. 在VA (VIIA)元素替位掺杂单层WSeTe时将其中的一个Se原子替换为氮族原子(卤族原子); 在3d过渡金属(TM)元素替位掺杂单层WSeTe时将其中的一个W原子替换为过渡金属原子, 掺杂浓度为2.08%, 对x,y方向的晶格常数进行了优化, 所有结构都经过了充分弛豫...
SrTi03空位缺陷及替位掺杂的第一性原理计算 摘要 SrTi0,是一种钙钛矿金属氧化物绝缘体,它被广泛用于晶界电容器、 氧敏传感器、光开关、生长高温超导薄膜的衬底,作为高电容率材料在超 晶格和下一代超大规模集成器件中具有潜在的应用价值。目前,对SrTi03 ...
Zr 替位掺杂γ-TiAl 的稳定性和热学性质研究 文档格式: .pdf 文档大小: 1.94M 文档页数: 6页 顶/踩数: 0/0 收藏人数: 0 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: 汽车/机械/制造--机械、仪表工业 文档标签: Zr替位掺杂-TiAl的稳定性和热学性质研究 ...
半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，...