间隙掺杂和替位掺杂在半导体材料掺杂技术领域中占有重要地位。两种掺杂方式在原子位置和浓度方面具有显著差异。间隙掺杂特指将杂质原子填充晶体结构的间隙，这类原子体积通常小于基体原子，能有效增加电导率。然而，间隙掺杂可能引起晶体结构畸变和机械强度下降。替位掺杂则是将杂质原子取代基体原子的位置，这类...
掺杂位置不一样。根据掺杂位置的不同可以将掺杂类型分为间隙式掺杂和替位式掺杂。间隙掺杂，指在间隙中掺杂。 替位掺杂，指在替拉中掺杂。一般来说间隙掺杂的能量比较高，没有替代掺杂稳定。另外间隙掺杂相当于多挤进一个原子在晶胞里，不管它本身比被替代的原子是大还是小，都应该是晶格发生膨胀，晶胞...
KH区域有容量恢复,H3→H2峰保持其强度和形状,表明材料的衰退最小且容量保持性良好。 图5 不同W含量和不同温度下合成的W掺杂LNO电极的电化学性能。 总结与展望 综上所述,该项工作清楚地表明,当W作为掺杂剂掺入LNO中时,W并未替代Ni或Li掺杂...
原子掺杂替位是指将外来元素掺杂到晶体中的替位位置,取代晶格中原有的Si原子。在材料科学中,掺杂常常用于调节材料的电子结构和化学反应性质。掺杂替位的机制是通过晶格缺陷来实现的,即掺杂元素引入的空位或离子实际上会导致晶格畸变,从而影响Si材料的性能。 二、B、P原子掺杂Si的替位效果 1. B原子掺杂Si的替位 ...
探讨了W掺杂对LiNiO2性能提高的机理,提高了对锂离子电池富镍正极材料的认知,促进了其商业化应用。 图文导读 首先,作者对合成的材料进行了X射线衍射测试,所有材料均呈现出明显的层状结构,如图1A所示。峰高归一化后,(003)峰随着W的增加而变宽,如图1B所示。众所周知,XRD衍射峰半峰宽(FWHM)与晶粒尺寸成反比,所以...
是。掺杂是材料改性的一种有效手段，在向半导体内掺杂时都是采用的替位式掺杂，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主。
位置越深,属于P型掺杂,在价带顶附近引入了缺陷能级。三种空位的引 入,都使体系从绝缘性向金属性转变,其中Ti空位对体系导电性改善效 果最好。 三、研究了不同掺杂浓度替位掺杂对SrTi03几何结构和电子结构的 影响。结果显示Y替位Sr掺杂属于n型掺杂,体系Srl.xYxTi03 ...
文献来自于吉大张绳百组里的一篇,PRB 82, 155132,做了alfa石英不同n和p型的替位掺杂。算形成能的时候用的具体公式见图! X是杂质原子,Y是被替换的Si,我不明白的是highlight的这句话,计算u(X)和u(Y)的时候是相对于单质的u(X)和u(Y)来说的:u(X) and u(Y) are the chemical potential of ...
谢谢回复～其实在掺杂之前，收敛性是很好的。基本上20步左右一定能收敛的。可是微量替位掺杂后，胞的...
Zr 替位掺杂γ-TiAl 的稳定性和热学性质研究 文档格式: .pdf 文档大小: 1.94M 文档页数: 6页 顶/踩数: 0/0 收藏人数: 0 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: 汽车/机械/制造--机械、仪表工业 文档标签: Zr替位掺杂-TiAl的稳定性和热学性质研究 ...