替代式掺杂,衍射峰往高角度偏移;晶胞参数变小,晶胞变小;我这种理解不知道有没有问题,另外,理论上我觉得行的通,但是在掺杂浓度高时 峰位的变化规律 没有找到相应的文献佐证,还请推荐过量掺杂时(间隙掺杂时)关于xrd讨论的文献,谢谢。
一种制备收窄的替位式掺杂原子尺度导线的方法,要在金属性质的碳基材料(金属性质的碳纳米管或金属性质的石墨烯纳米带)上实现定点掺杂,必然要在原子水平操纵原子,采用spm和单离子注入技术在特定格点去除一个碳原子和添加一个掺杂金属原子;用spm施加一个电脉冲,将指定格点上的碳原子吸附,并搬运走,然后再吸附并搬运一个...
请教在MS中能否实现替位式掺杂，如何操作？PS：MS4.2能否在vista中运行啊?[Last edited by freshgirl...
在下不知怎么进行替位式、中心式、间隙式掺杂，盼大神指点。最好截个图
请教xrd 表征掺杂样品 峰位移动由替代式转为间隙式掺杂的峰位变化规律 C替代O,大离子替代小离子。掺杂浓度低时,遵循替代式掺杂,由布拉格公式衍射峰往低角度偏移;晶胞参数变大,晶胞变大;掺杂浓度高时,替代式掺杂,衍射峰往高角度偏移;晶胞参数变小... C替代O ,大
这个不一定吧。一般来说间隙掺杂的能量比较高，没有替代掺杂稳定。掺杂量超出溶质的solubility就出现相分离...
在下不知怎么进行替位式、中心式、间隙式掺杂，盼大神指点。最好截个图