涂布曝光显影刻蚀流程。 1.基底准备,清洁并处理基底,去除污染物和氧化物。 2.光刻胶涂布,在基底上旋涂或喷涂感光光刻胶。 3.软烘干,在低温下烘烤光刻胶,蒸发溶剂。 4.曝光,通过光掩模将紫外线图案照射到光刻胶上,使其发生化学变化。 5.后烘干,在较高温度下烘烤曝光后的光刻胶,使化学反应完全。 6.显影,...
1、光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所规定的特定区域的基本操作 分辨率-resolution 特征图形尺寸-feature size 图像尺寸-image size 定位图形-Alignment or Registration 聚合-polymerization 抗刻蚀的-etch resistant or Resist or Photoresist 亮场掩膜版-clear field mask 光溶解-photosolubilization; 负胶+亮场或正...
百度试题 题目光刻的主要过程包括:基片前处理→涂胶→前烘→曝光→显影→后烘(坚膜)→刻蚀→去胶等,在上述过程中,什么和刻蚀是两个主要环节。相关知识点: 试题来源: 解析 答:曝光和刻蚀。
从下面选出正确的光刻工艺流程? 底膜处理→涂胶→前烘→曝光→坚膜→显影→刻蚀→去胶底膜处理→涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶底膜处理→涂胶→曝光→前烘→显影→坚膜
光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作?? 打底膜、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶、刻蚀打底膜、前烘、涂胶、曝光、坚膜
百度试题 题目中国大学MOOC: 在IC制造过程中,曝光、刻蚀、显影和去胶的顺序是()。相关知识点: 试题来源: 解析 曝光-显影-刻蚀-去胶
百度试题 结果1 题目在台积公司的生产线中,下列哪一项不是光刻环节的步骤?( ) A. 涂胶 B. 曝光 C. 显影 D. 刻蚀 相关知识点: 试题来源: 解析 D
百度试题 题目光刻工艺流程:打底膜→ →前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。相关知识点: 试题来源: 解析 涂胶;甩胶
本发明涉及半导体工艺领域,特别涉及一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法及制备系统。 背景技术: 在半导体制造工艺、微电子ic制造工艺及微纳制造工艺中,光刻法是制备电路图案的核心制程,主要包括光阻涂布、曝光、显影、烘烤等步骤,存在流程复杂,效率较低,浪费材料等缺点。
百度试题 题目光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。相关知识点: 试题来源: 解析 光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度;高;高