4.电力MOSFET由于栅极和P区绝缘不具有电导调制效应(西交书第六版P31下边写有)5.IGBT兼具GTR和MOSFET的...
大功率晶体管GTR GTR的结构和工作原理 结构:由多个晶体管元组成,通过集电极连接形成公共发射极结构工作原理:通过控制输入信号的极性和幅度,可以控制晶体管的开关状态,实现大电流和高电压的开关控制 GTR的特点和优势 电流密度高,能够承受大电流 开关速度快,适合高频应用 热稳定性好,可靠性高 驱动电路简单,易于...
按照驱动电路信号的性质,分为两类:(1)电流驱动型:晶闸管,GTO,GTR等(2)电压驱动型:电力MOSFET,IGBT等常用的控型电力电子器件:门极可关断晶闸管,电力晶
晶闸管、GTO、GTR、IGBT等器件在变流电路中通常工作在( )状态。A.开关B.放大C.缩小D.无变化
GTR要求在导通期间一直提供门极触发电流信号,而GTO当器件导通后可以去掉门极触发电流信号;GTO的电流增益(尤其是关断电流增益很小)小于GTR,无论是开通还是关断都要求触发电流有足够的幅值和陡度,其对触发电流信号(尤其是关断门极负脉冲电流信号)的要求比GTR高。反馈...
解:对ⅠGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表:器件优点缺点IGBT开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小。开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO 。GTR耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低。开关速度低,为电流驱动,所需驱动...
典型代表——门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)2 电力电子器件的分类 按照器件能够被控制的程度,分为以下三类:➢半控型器件 ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断,晶闸管是典型的半控型电力电子器件。全控型器件 ——通过控制信号...
1.0电力电子器件概述1.1功率二极管1.2晶闸管1.3可关断晶闸管(GTO)1.4电力晶体管(GTR)1.5功率场效应晶体管1.6绝缘栅双极型晶体管1.7电力电子器件散热、串并联及缓冲保护 典型全控型器件 1.3门极可关断晶闸管1.4电力晶体管1.5电力场效应晶体管1.6绝缘栅双极晶体管 典型全控...
GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。目前,GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。 可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率...
全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管); 不可控器件,例如电力二极管;3. 电力电子交流器的四种基本形式 22.相关知识点: 试题来源: 解析 答:电力电子变换器能将电力从交流转换为直流(整流器)直流转换为直流,斩波器) ,直流转换为交流(逆变器...