在应力作用下,位错在晶体内沿滑移面运动。 英文名称 dislocation glide 所属学科 地质学/地质资源与地质工程矿物晶格位错滑移是高应力下晶体韧性变形的主要机制。位错滑移系包括一系列平行的结晶学滑移面,以及该晶面上的相关滑移矢量(滑移方向)。同一晶体内可以具有多个不同的滑移系,不同的滑移系发生所需要的临界剪应力不同。一
该位错的滑移面由线方向l=[-110]和伯格斯矢量b=a/2[110]的外积确定,计算得滑移面法线为[001],对应(001)面。虽然伯格斯矢量b属于FCC的滑移方向<110>,但FCC的常规滑移面是{111}面,(001)面并非有效滑移面。此外,该位错为纯刃型(l与b垂直),无法通过交滑移改变滑移面。因此,位错无法滑移,选择B。选项...
百度试题 题目在FCC晶格中存在一个位错,其位错线的方向用晶向指数表示为[112],该位错滑移的方 相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏
晶格畸变增大位错运动的阻力,使金属的滑移变形变得更加困难,从而提高合金的强度和硬度。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生
滑移系、取向因子、施密特定律的适用范围、位错运动的晶格阻力派-拉力、位错密度、Cottrell气团、铃木气团。rC取决于金属的本性,不受,A的影响;Φ或A=90°时, 8 →∞;TC=o 8 cospcos%\o 8 的取值Φ,A=45°时,o 4 最小,晶体易滑移;软取向:值大;取向因子:cosqcosk硬取向:值小。
11 位于 fee 晶格的( 001)面上, l=[-110] A 能滑移 B 不能滑移 C 12 空位( )过程中重要作用。A 形变孪晶的形成B 自扩散 13 位错线受力方向处处垂直于位错线,在运动A 随位错线运动方向而改变B 始终同柏氏矢量方向一致 相关知识点: 试题来源: 解析 B B B 11. FCC晶体的滑移系为{111}<11...
超晶格本征层错(SISF)是喷气发动机中使用的现代镍基高温合金低温的罪魁祸首。虽然这些层错是在50多年前发现的,但它们的成核机制仍不清楚。 剑桥大学材料与冶金系León-Cázares等人通过透射电子显微镜提供了第一个实验证据,证明SISF从多晶合金中的交叉滑移事件中成核。在提出的成核机制中,交叉滑移允许两种不同的形成...
HEMs独特的机械、物理和化学性质归因于它们独特的键合方式和晶格中的原子排列。HEMs的高熵效应可以提高材料的稳定性;HEMs中各个元素不同的原子半径获得的晶格畸变效应可显著提高材料的硬度;滞后扩散效应是由晶格畸变引起的,晶格畸变阻碍位错的滑移变形,有助于形成纳米HEMs;鸡尾酒效应是指通过HEMs中各个元素之间的协同作用...
变形时, “滑移面软化”(glide plane softening)产生平面滑移带。变形较大后,平面滑移带内的LCO被破坏,原子尺寸分别明显大于和小于合金平均值的Zr与Al被显著分开,各自带来较大的晶格畸变,其产生的阻力与积累的位错碎片联合作用,有效阻碍后续位错运动(图2),最终造成滑移带的动态硬化。
1 试论材料强化的主要方法及其原理。固溶强化. 原理:晶格畸变、柯氏气团,阻碍位错运动;方法:固溶处理、淬火等。细晶强化:原理:晶界对位错滑移的阻碍作用。方法:变质处理、