尽可能避免晶格常数的改变是非常重要的。这是因为晶格常数不一致会影响上下层的热膨胀系数,很可能导致晶圆翘曲。此外,当堆叠二氧化硅或二氧化铪作为栅极氧化层时,若是通过外延生长制造出晶格常数一致的超高纯层,而非在含杂质的硅基板上进行堆叠,可以将接触面之间的电子陷阱和接触面之间的失配情况(粘结程度减弱等)降至...
台积电在圣克拉拉举办第24届年度技术研讨会上，发布了一个可以为显卡带来革命性变革的技术——Wafer-on-Wafer (堆叠晶圆)技术，堆叠晶圆技术通过使用形成硅通孔(TSV)连接的10微米孔彼此接触。按照台积电的合作伙伴Cadence的说法，堆叠晶圆设计可以放置在中介层上，将一个连接路由到另一个连接，创建一个双晶立方体，甚至...
在先通孔和中通孔工艺中,晶圆表面平坦化后,还需要进行晶圆背面的减薄使 TSV 露出,而在后通孔工艺中,晶圆在进行 Bosch 刻蚀工艺前就会进行减薄。晶圆减薄的目的是使 TSV 露出,在晶圆级多层堆叠技术中,需要将多片晶圆进行堆叠键合,同时总厚度还必须满足封装设备的要求,因此目前 0. 3～0. 4 mm 的晶圆厚度必须经...
这是因为晶格常数不一致会影响上下层的热膨胀系数,很可能导致晶圆翘曲。此外,当堆叠二氧化硅或二氧化铪作为栅极氧化层时,若是通过外延生长制造出晶格常数一致的超高纯层,而非在含杂质的硅基板上进行堆叠,可以将接触面之间的电子陷阱和接触面之间的失配情况(粘结程度减弱等)降至最低。 尽管外延层品质优良,但由于制作...
广义而言,半导体基板即为晶圆。我们可以直接在晶圆表面堆叠晶体管,即半导体电路的基本元件,也可以构建新的一层,将 […]
半导体基板即为晶圆,我们可以直接在晶圆表面堆叠晶体管,即半导体电路的基本元件,也可以构建新的一层,将其作为基板并在上面形成器件。特别是用于通信、军事和光学元件等特殊用途的晶体管,或是高性能和高质量的晶体管,它们都需要用到外延晶片。在本文中,我们将介绍这种在晶圆之上由超纯硅构成的超高纯层(也被称为“外...
利用晶圆与晶圆之间的直接短键合垂直堆叠芯片,可将信号延迟降低到可忽略不计的水平,从而实现更小、更薄的封装,加快内存/处理器速度,降低功耗。 实现晶圆堆叠和晶粒到晶圆混合键合的竞赛正在进行,现在人们认为这对于堆叠逻辑和存储器、3D NAND 以及可能的 HBM 中的多层 DRAM 堆叠至关重要。垂直堆叠允许芯片制造商将互...
晶圆键合与解键合工艺也是多层晶圆堆叠技术的关键工艺之一,用于完成两片器件晶圆的 “面对面”堆叠,或利用载片晶圆实现多片器件晶圆的 “背对面”堆叠。 根据键合材料的不同,晶圆的键合主要分为Si-Si 直接键合、金属热压键合、共晶 键合和聚合物键合等键合方法。根据键合的性质,分为永久键合与临时键合。其中,Si-Si...
广义而言,半导体基板即为晶圆。我们可以直接在晶圆表面堆叠晶体管,即半导体电路的基本元件,也可以构建新的一层,将其作为基板并在上面形成器件。特别是用于通信、军事和光学元件等特殊用途的晶体管,或是高性能和高质量的晶体管,它们都需要用到外延晶片。在本文中,我们
无键合 - 高精度晶圆对位堆叠系统 BONDLESS 今日的微机电(MEMS)晶圆制造,即所谓的中 端流程(Mid Processing) 皆具高度复杂性并且经 常需要处理一些超薄的晶圆,致使其制程难度日 益增加,故运用临时晶圆键合(Temporary Bond- ing)是目前最常见的辅助运送方式. 然而传统的晶圆键合粘接 方法往往损坏MEMS晶片 之机械结构...