在晶圆加工的全流程中，关键步骤之一是金属化工艺。这涉及到在晶圆片上刻蚀凹槽，并在键合环上镀上金属化层，以增强其结构强度。此外，双面蒸镀光学薄膜和薄膜吸气剂沉积也是不可或缺的环节，它们对于提升晶圆的光学性能和吸气性能具有重要意义。另一方面，下基板晶圆片的加工工艺同样复杂。其中，MEMS微测辐射热计的...
晶圆表面金属化标准 一、引言 晶圆作为半导体制造的核心基础，其表面金属化工艺对于集成电路的性能和功能起着至关重要的作用。金属化标准涵盖了从材料选择、工艺参数控制到最终质量检测等多个方面，直接影响着芯片的电性能、可靠性以及成本等关键指标。了解和掌握晶圆表面金属化标准，是确保半导体制造过程顺利进行、生产出...
MOSFET晶圆正面..正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄前的关键工艺;目的是由溅镀或化镀方式形成UBM,接着做铜夹焊接 (Clip Bond),以降低导线电阻;承受大电流。在使用夹焊(Clip Bond)时,由于铝垫上方
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，深圳平创半导体有限公司和重庆平创半导体研究院有限责任公司申请一项名为“一种晶圆金属化结构、晶圆金属化处理方法及半导体结构”的专利，公开号 CN 119050082 A，申请日期为 2024 年 9 月。专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆金属化结构、晶...
但是,晶圆硅片的电导率相对较低,且易受腐蚀,因此,常需进行金属化处理,以提高其电学性能和耐腐蚀性能。 晶圆硅片金属化处理工艺通常包括以下步骤: 1. 清洗处理:利用化学或物理方法将晶圆表面的污染物去除。 2. 粗化处理:通过化学或机械方法使晶圆表面粗化,增强金属附着能力。 3. 形成金属层:采用电镀、化学...
晶圆金属化工艺技术手册 一、引言 晶圆金属化工艺在半导体制造领域中占据着至关重要的地位。它是将金属材料沉积在晶圆表面，形成各种金属互连结构的过程。这些金属互连结构如同半导体器件的“血管”，负责传递电信号，确保各个功能单元之间能够准确、高效地进行通信。随着半导体技术的不断进步，对晶圆金属化工艺的要求也日益...
硅晶圆金属化 硅晶圆金属化是芯片制造的关键环节,简单说就是在硅片上“铺金属线”,让电流能顺畅流动。这一步直接决定芯片性能,弄不好可能让整个电路瘫痪。咱们聊聊金属化的门道,从材料到工艺,再到可能踩的坑。 金属材料选型有讲究。铝曾是绝对主力,便宜又好加工,但电流一大就容易“堵车”,专业叫法是电迁移。铜...
本发明公开了一种晶圆背面金属化的方法及晶圆,属于芯片后段制造及封装技术领域,该晶圆背面金属化的方法,包括以下步骤:在基底层的背面形成图案化的光刻胶,通过所述图案化的光刻胶刻蚀所述基底层,以在所述基底层上形成凹陷;在所述基底层的背面及凹陷中蒸镀所需金属,形成具有凹面的蒸镀层,并在所述蒸镀层进行金属引...
6月19日上午,浙江海宁市长安镇、高新区二季度重大项目集中开竣工,浙江潮芯电子有限公司年处理30万片高功率半导体晶圆正背面金属化、车规级大功率半导体及超薄晶圆级先进封装建设项目开工。 据介绍,企业新增用地30亩,总投资35000万元,新建建筑面积54000平方米,引进全自动磨片机、全自动划片机、BUMPIN系统等设备,形成年处...
一、金属化方法的先进程度 目前,晶圆表面金属化技术主要采用薄膜沉积、电镀和化学气相沉积等方法。其中,化学气相沉积相对于传统的薄膜沉积和电镀等方法,具有较高的金属沉积速率和均匀性,能够实现更精细的图案和金属线路。因此,从金属化方法的角度来看,晶圆表面金属化技术具有一定的先进程度...