它采用具有多种稳定状态的半导体器件作为存储单元，不仅体积更加紧凑，性能也更为出色，同时功耗控制得相对较低。接下来，我们将深入探讨半导体存储器的不同分类。根据电源终止后数据是否丢失，存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器主要包括静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）。而非易失性存储
从广泛应用的传统存储器,到崭露头角的新兴非易失性存储器技术,每一种都在存储领域中占据着独特的地位,展现出各异的特点。 在数字化信息飞速增长的时代,存储器作为数据存储与读取的关键载体,其性能与特性对各类电子设备及系统的运行效率起着决定性作用。从广泛应用的传统存储器,到崭露头角的新兴非易失性存储器技...
“这项成果是我们团队的‘十年之约’。”刘春森说,“过去10年,团队聚焦信息存取速度极限,深耕以闪存为代表的非易失性存储技术,不断实现运行速度的提升。” 2018年,团队设计出由多重二维材料堆叠构成的半浮栅结构晶体管,并构筑得到了二维半导体准非易失性存储原型器件,写入速度比当时的U盘快1万倍,破解了“写入速度...
而RAM随机存取存储器，则与众不同，它能够“随机地从存储器的任意存储单元读取或写入数据”，这一特性打破了传统磁存储的“顺序存取”限制。值得注意的是，有些人可能会误以为易失性存储器仅指RAM，非易失性存储器则仅指ROM。然而，这种观点并不全面，其背后的原因我们稍后探讨。接下来，让我们深入了解易失性存储...
一、虚拟存储的概念 所谓虚拟存储,就是把多个存储介质模块(如硬盘、RAID)通过一定的手段集中管理起来,所有的存储模块在一个存储池(Storage Pool)中得到统一管理,从主机和工作站的角度,看到就不是多个硬盘,而是一个分区或者卷,就好象是一个超大容量(如1T以上)的硬盘。这种可以将多种、多个存储设备统一管理起来,为使...
非易失性存储器（NVM）接下来，我们将探讨非易失性存储器。这种类型的存储器具有在断电或数据删除后仍能保留数据的特性。其技术路线多样，包括早期提到的ROM，以及后来的PROM、EPROM和EEPROM等。早期的ROM，如掩模型只读存储器（MASK ROM），采用掩膜工艺将信息直接“刻”入存储器，使得用户无法更改数据，适用于早期...
闪存技术通过cell-based design减小了单位存储器的尺寸。在80年代，闪存作为一种经典的非易失存储器产品应运而生，其采用了热电子注入机制进行编程。4.编程机制 Fowler-Nordheim隧道效应是NVM中的关键电荷注入方式。通过在控制门极施加高电压，电子通过氧化层的隧道效应注入浮栅。该效应在存储器的编程过程中尤为重要。t...
MRAM是一种非易失性存储技术,它被称为“全能手”,顾名思义,是因为MRAM什么都会做一些。 SRAM虽快,但容量极低;DRAM结构简单,但也被易失性所困;非易失性、大容量的Flash则耐久有限,同时随着制程逐步逼近极限而无限触碰极限。 而MRAM有着介于SRAM和DRAM两种易失性存储技术之间的速度和面积,同时拥有读写次数无限、...
非易失性存储器,特别是具有大块(或“扇区”)擦除机制的Flash“闪存”存储器,在过去10年中一直是半导体业务中增长最快的部分。这些新兴技术中的一些包括MRAM,FeRAM,PCM,自旋转移矩随机存取存储器(STT-RAM),RRAM和忆阻器。 这些新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型: ...
新兴的非易失性存储技术，如MRAM（磁阻随机存取存储器）和ReRAM（电阻随机存取存储器），正在引领存储领域的潜在变革。这些技术以其更快的读写速度和更高的耐用性，有望超越现有的NAND Flash技术。它们还提供了更低的能耗和更高的存储密度，这对于追求能效比和紧凑设计的现代计算设备至关重要。MRAM技术利用磁性隧道结...